阈值电压是什么意思?
阈值电压（Gate-source threshold voltage，VGS(th)）是MOSFET的重要参数之一，因为它决定着器件的性能和应用范团。阈值电压Vth定义为可以在源极和漏极之间形成导电沟道的最小栅极偏压。在描述不同的器件时具有不同的参数。
VGS(th)开启电压（阈值电压），当外加栅极控制电压超过VGS(th)时，漏区和源区形成了沟道。测试时，通常一定VDS条件下，漏极电压ID等于某一值时的栅极电压称为开启电压。
阈值电压的大小对器件的性能有很大的影响。如果國值电压太高就会导致器件导通时需要较大的电压，从而降低了器件的灵敏度和响应速度；如果阈值电压太低，就会导致器件的漏电流过大，从而降低其可靠性和寿命。因此，在设计和选择半导体器件时，需要根据具体的应用要求和材料特性来确定國值电压的大小。
半导体主要参数
场效应管输出曲线
输出曲线ID-VDS
以VGS为参考量，可以得到不同VGS下，漏极电流ID与漏源电压VDS之间的关系曲线，即为MOS管的输出曲线
转移曲线ID-VGS
以VDS为参考量，得到不同VDS下，漏极电流ID与栅源电压VGS之间的关系曲线，即为MOS管的转移曲线
Vgss：栅源击穿电压，当Vds为0时，场效应管正常工作能够承受的最大电压
MOSFET的属于什么器件?
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）缩写 MOS. MOSFET中文全称金属氧化物半导体场效应晶体管。一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
G：gate 栅极
S：source 源极
D：drain 漏极
MOS管的source（源极）和drain（漏极）是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
MOSFET引脚排列图
MES场效应管（用金属与半导体接触构成栅极）;其中MOS场效应管使用最广泛。尤其在大规模集成电路的发展中,MOS大规模集成电路具有特殊的优越性。MES场效应管一般用在GaAs微波晶体管上。
阈值电压公式
阈值电压的计算公式如下:
Vth = Vt0 + γ(2φf – Vt0)
其中, Vt0是零偏电压, γ是斜率系数, φf是费米势, 它们均是与材料本身有关的参数。
根据这个公式，我们可以看出阈值电压与材料的性质有关，同时还与器件的结构、工艺等因素有关。
影响阈值电压的因素有哪些？
阈值电压随栅氧厚度增加，沟道区掺杂浓度增大而增加。随界面态电荷增大而增加。碳化硅MOSFET栅氧厚度约50nm，可调空间不大。沟道区掺杂可调范围有限，所以首要措施为应降低界面态，以提高其他影响因素的窗口。
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是德科技为 JEP183 的 SiC MOSFET 的 Vth 测量提供了两种解决方案。
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MOSFET阈值电压测试方法
对于功率MOSFET,通常在250uA的漏源电流下测量。Vth主要取决于栅极氧化层厚度和沟道掺杂浓度。不同的厂家定义Vth参数的测试条件略有不同，有的厂家会固定漏极电压，扫描栅源电压，当漏极电流达到某一值时提取Vth。针对这种测试可以使用easyexpert软件中application test下已经内置的测试案例完成。
但是有的客户需要同时对VGS和VDS进行sweep，相当于VGS=VDS，然后观察特定Id下的vth的值，这也是非常简单，只需要在上面的应用中将测试模式改为Vgsoff就可以了。
对于小功率mosfet，提取Vth的方法是采用最大跨导法，也可以直接调用easyexpert软件中CMOS案例下的VthgmMax应用来测试。
