AI时代对高性能、大容量存储技术提出了更高要求，为此，原厂积极推动下一代存储器技术研发。
最新消息显示，三星计划本月下旬在“NRD-K”项目上引进设备，以加速包括1d DRAM和V11、V12 NAND在内的下一代存储技术发展。
据悉，NRD-K项目是三星电子建设的下一代半导体研发综合体，尖端半导体工艺的研究、生产和分销均在此进行。尖端技术方面，三星1d DRAM将采用新型结构设计和封装技术，使其在性能和能耗上获得了显著提升；V11和V12 NAND则将在存储密度和能效比方面带来了新的突破，以上三项技术均适用于数据中心以及高性能计算等领域。
当前DRAM先进制程工艺正不断朝10nm级别靠近，美光最新工艺为1γ DRAM，该公司已在位于日本广岛的Fab15工厂利用EUV试产1γ DRAM，并计划于2025年大规模量产。三星最新工艺为1c DRAM，计划于2024年年底前建成相关产线，2025年生产。1d DRAM是三星下一代DRAM技术，1d DRAM能够支持更高的带宽，使得数据传输更加高效，有助于提升整体系统的性能。
NAND方面，原厂注重层数突破，目前正式商用的闪存产品层数已经突破200层，原厂致力于向1000层迈进。三星在2024年开始量产堆叠层数达290层的第九代3D NAND技术，并在未来几年内进一步提高堆叠层数和性能，其中就包括了上文提及的V11和V12 NAND。
美光在2022年成功量产了232层3D NAND芯片，未来还将发力更高层数。
铠侠已经成功实现了200层以上的NAND堆叠，按照其3D NAND闪存发展蓝图，铠侠预计到2027年实现1000层堆叠的目标。
会议预告
2024年11月20日（周三），MTS2025存储产业趋势峰会将在深圳鹏瑞莱佛士酒店盛大举行。
届时，集邦咨询资深研究副总经理吴雅婷和研究经理敖国锋将分别针对2025年内闪存产业发展趋势进行主题演讲，敬请期待！
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