媒体报导，先前市场消息指出，台积电已经于2024年9月份从荷兰半导体设备商阿斯麦(ASML)接收首套高数值孔径(High-NA)极紫外线(EUV)光刻机-EXE:5000。这代表着台积电对这项先进半导体技术不断变化的立场，从一开始持谨慎，到后来全面发展采用，为的就是保持其在竞争激烈的半导体产业中维持领先地位，也因应AI芯片对先进制程需求的快速成长。
根据外媒techspot的报导指出，采用High-NA EUV光刻机对于台积电开发2纳米以下制程至关重要。因为High-NA EUV光刻机将数值孔径从0.33增加到0.55，可以进一步在晶圆上达到更高分辨率。而根据台积电的规划，High-NA EUV光刻机将导入其A14节点(1.4纳米)的制程当中，而该制程也预计于2027年进入量产阶段。
目前，这些先进的光刻机不会立即投入运作，因为在将其整合到大量生产之前，需要进行严格的测试、微调和制程优化。至于，在这些光刻机全面投入运作时，台积电预计将发展到其A10节点(1纳米)的制程，这代表着超越其当前能力的几代技术，此时间表也与台积电发展芯片制程的广泛路线一致。
报导表示，在台积电2024年第三季法说会上，财务长黄仁昭概述了该公司的先进制程节点开发计划。表示台积电将在2026年更新N2制程，这使得更新N2制程会有一些准备成本。而随着台积电发展每个先进制程节点，这种准备成本将变得越来越大。
报导强调，每套High-NA EUV光刻机的价格约为3.84亿美元。尽管如此，台积电在EUV光刻机的技术领先地位，预计仍将吸引更多寻求先进芯片制造能力的高阶客户前来下单。这可能会进一步拉大台积电与其竞争对手之间的差距，尤其是韩国三星电子。因为，台积电已经凭借目前标准孔径的EUV技术奠定坚实的基础。
其中，台积电在2019年正式推出了采用EUV制程的N7+节点制程，当时约运作了10套标准的EUV光刻机。此后，台积电迅速扩大了其EUV生产能力，这也使得EUV系统销量在2019年至2023年间成长了十倍。目前，台积电占全球EUV光刻机安装数量的56%。持续将其利用在包括N5、N3，以及接下来的N2节点制程中。
台积电采用EUV的方法是系统化，且以客户为中心的。该公司根据新技术创新的成熟度、成本和潜在的客户利益对其进行仔细评估，然后再将其整合到大规模生产中。因此，台积电计划首先导入High-NA EUV光刻机用于研发，以开发客户推动创新所需的相关基础设施和图案解决方案，之后再进一步满足客户的相关需求。
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