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开发出业界首款321层 1TB TLC NAND闪存，将于明年上半年开始供应
采用“3-Plug”工艺技术突破堆叠极限，与上一代相比，性能和生产效率都有所提升
“加强AI领域存储竞争实力，跃升为‘全方位面向AI的存储器供应商’”
2024年11月21日，SK海力士宣布，开始量产全球最高的321层 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）*4D NAND闪存。
SK海力士表示：
公司从2023年6月量产当前最高的上一代238层NAND闪存产品，并供应于市场，此次又率先推出了超过300层的NAND闪存，突破了技术界限。计划从明年上半年起向客户提供321层产品，由此应对市场需求。
公司在此次产品开发过程中采用了高生产效率的“3-Plug*”工艺技术，克服了堆叠局限。该技术分三次进行通孔工艺流程，随后经过优化的后续工艺将3个通孔进行电气连接。在其过程中开发出了低变形*材料，引进了通孔间自动排列（alignment）矫正技术。公司技术团队也将上一代238层NAND闪存的开发平台应用于321层，由此最大限度地减少了工艺变化，与上一代相比，其生产效率提升了59%。
此次321层产品与上一代相比，数据传输速度和读取性能分别提高了12%、13%，并且数据读取能效也提高10%以上。SK海力士将以321层NAND闪存积极应对面向AI的低功耗、高性能新市场，并逐渐扩大其应用范围。
SK海力士NAND闪存开发担当副社长崔正达表示：
公司率先投入300层以上的NAND闪存量产，在攻占用于AI数据中心的固态硬盘、端侧AI等面向AI的存储(Storage，存储装置)市场方面占据了有利地位。由此公司不仅在HBM为代表的DRAM，在NAND闪存领域也具备超高性能存储器产品组合，将跃升为“全方位面向AI的存储器供应商”。
* NAND闪存芯片根据每个单元(Cell)可以存储的信息量（比特,bit），分为SLC(Single level Cell,1位)、MLC（Muti Level Cell,2位）、TLC（Triple Level Cell,3位）、QLC（Quadruple Level Cell,4位）、PLC（Penta Level Cell,5位）等不同规格。单元信息存储容量越大，意味着单位面积可以储存的数据越多。
* 通孔（Plug）：堆叠多层基板之后，为一次性形成单元的垂直孔。
* 低变形（Low Stress）：通过改变plug内填充的物质，减少变形。
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