报告人：孙海定
报告人：蒋科
报告摘要：提出的基于GaN/AIScN异质结构的电光双模态存储器，展示了出色的电学和光电非易失性以及可重构性，成功实现了高电流开关比和逻辑运算功能。
报告人：胡麟
报告摘要：提出了一种全新的外延生长范式，能够很好地描述氮化物半导体在二维范德华衬底上的生长过程，平面内和平面外的生长能较强的耦合在一起，并能被界面相互作用调制。
声明：此文是出于传递更多信息之目的。部分图片、资料来源于网络，版权归原作者所有，如有侵权请联系后台删除。
报告人：孙海定
报告人：蒋科
报告摘要：提出的基于GaN/AIScN异质结构的电光双模态存储器，展示了出色的电学和光电非易失性以及可重构性，成功实现了高电流开关比和逻辑运算功能。
报告人：胡麟
报告摘要：提出了一种全新的外延生长范式，能够很好地描述氮化物半导体在二维范德华衬底上的生长过程，平面内和平面外的生长能较强的耦合在一起，并能被界面相互作用调制。
声明：此文是出于传递更多信息之目的。部分图片、资料来源于网络，版权归原作者所有，如有侵权请联系后台删除。
