根据稀土专利动态，2024-11-08由株式会社日立制作所, 上海交通大学申请的“纳米晶钕铁硼磁体及其制备方法”（发明专利）获得授权。该专利发明人为董强;夏贤爽;张澜庭;刘梅，申请日期为2019-07-12，申请号为CN201910629057.0。
本发明提供一种纳米晶钕铁硼磁体及其制备方法，其中，制备方法包括如下步骤：提供主相合金粉体，所述主相合金粉体按原子百分比组成为RxFe（100‑x‑y‑z）MyBz，其中，R为Nd、Ce、Pr中一种或几种，M为Co、Ga、Cu、Al中的一种或几种，12≤x≤15，0.1≤y≤8，4≤z≤8；提供晶界相合金粉体，所述晶界相合金粉体按原子百分比组成为NdaFe（100‑a‑b‑c）GabCuc，其中，55≤a≤65，15≤b≤25，0≤c≤10；将所述主相合金粉体与所述晶界相合金粉体混合均匀，得到混合粉体；对所述混合粉体进行热压烧结，得到热压块体；将所述热压块体进行热变形处理，使其中晶粒发生取向，得到所述纳米晶钕铁硼磁体，其中，所述纳米晶钕铁硼磁体中的晶粒尺寸为150nm‑250nm。根据本发明的纳米晶钕铁硼磁体，具有更好的高温磁性能，且制备方法简单易行。
