根据稀土专利动态，2024-11-26由浙江英洛华磁业有限公司申请的“一种边角强化的高矫顽力R-T-B稀土永磁体及其制备方法”（发明专利）获得公开。该专利发明人为陈彪;付松;吴朗靖;王荣杰;金康伟;叶中秋，申请日期为2024-08-05，申请号为CN202411061515.2。
本发明公开了一种边角强化的高矫顽力R‑T‑B稀土永磁体及其制备方法，将磁体扩散源涂覆面进行分区扩散，磁体的边角区涂覆含量Zr、Ti或Nb元素的扩散源，磁体非边角区涂覆重稀土元素扩散源，然后在包含H2的环境下加热，使磁体涂覆扩散源的表面的主相晶粒进行歧化分解，并在扩散后缓冷过程中重新结晶。本发明通过歧化分解和再结晶处理，使磁体非边角区的核壳结构主相晶粒的外侧再分布一层具有反核壳结构主相晶粒，使磁体非边角区从心部至磁体扩散面依次排列有非核壳结构主相晶粒、核壳结构主相晶粒和反核壳结构主相晶粒，进一步提高磁体的矫顽力，对于提高R‑T‑B磁体磁性能，降低成本具有重要意义。
