根据稀土专利动态，2024-11-15由浙江英洛华磁业有限公司申请的“一种超低镧铈杂质的钕铁硼永磁体及其制备方法”（发明专利）获得公开。该专利发明人为张冬冬;付松;金康伟;胡校铭;吕婷茹;熊清，申请日期为2024-08-22，申请号为CN202411161210.9。
本发明提供了一种超低镧铈杂质的钕铁硼永磁体，通过在熔炼工序中二次加料投入氧化硼，引入氧元素，将磁体中镧铈元素氧化、作为浮渣除杂，从而降低磁体中镧铈元素的含量，所得磁体总La元素含量不高于10ppm，总Ce元素含量不高于100ppm，O元素含量不高于1000ppm，晶界相中La元素含量不高于500ppm，晶界相中Ce元素含量不高于300ppm。本发明通过简单的方法显著降低了磁体中的镧铈杂质含量，提高了磁体的高温磁性能。
