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中国存储芯片改变全球市场格局
特朗普第二任期即将开启，美国对华制裁政策预计会进一步加强。中国存储芯片企业开始掀起低价供应攻势，并大幅提升旧型内存芯片产量。市场分析认为，中国DRAM代表企业长鑫存储（CXMT）或在两年内赶上三星电子和SK海力士，跻身全球第三大存储芯片企业。
据台媒DIGITIMES18日报道，目前市场上中国内存厂商的消费级DDR4产品价格仅为三星、SK海力士和美光全球三大DRAM企业的一半左右，甚至比二手产品还低约5%。中国内存企业在政府补贴的支持下，加速推进大规模低价供应战略，旨在特朗普新政府上任前大力开拓海外市场。
相关预测显示，中国DRAM龙头企业长鑫存储的生产能力（以晶圆计算）或从两年前的每月7万片激增至今年底的20万片。北京和合肥扩建工厂完工后，长鑫存储每月产能预计达到30万片。摩根士丹利近日发布报告称，2026年长鑫存储或超越美光，占据全球DRAM市场第三的位置。此外，2018年受到美国制裁的福建晋华（JHICC）也正在量产DDR4，并计划提升每月产能至10万片以上。
面对中国的低价攻势，三星电子和SK海力士选择减少旧型工艺DRAM的生产，专注高附加值产品的先进工艺。三星电子在近期的海外企业说明会上表示，计划减少DDR4和LPDDR4的市场暴露，优先考虑利润而非市场份额。
SK海力士同样以技术优势应对中国的价格竞争。SK海力士在上月发表的第三季度财报中指出，随着中国厂商供货的增加，DDR4和LPDDR4等旧型产品市场竞争愈发激烈，对此计划快速缩减旧型产品，集中力量开发高性能的DDR5和LPDDR5等高端产品。
市场普遍认为，如果特朗普新政府上台后中国全力推动半导体发展，传统内存巨头的竞争优势可能受到威胁。市场调研机构TechInsights数据显示，中国半导体自给率已经从2014年的约14%提高到去年的23%，预计2027年达到27%。为扶持半导体行业，中国国家集成电路产业投资基金在今年5月扩张至3440亿元人民币。
业内人士表示，中国半导体企业有政府支援，因此亏本销售也无所顾虑。以长鑫存储为代表的企业正在筹备DDR5量产，如果中国内存企业继续扩大供应规模和技术实力，与传统巨头企业的差距可能会比预期更快缩小。
韩国对外经济政策研究院研究员金赫中（音）则分析称，对华出口尖端设备的管制可能会在一定程度上延缓中国内存企业的追赶速度，但特朗普政府上台后，中国政府对长鑫存储等企业的资金支持会大幅增加，半导体竞争力或进一步提升。
