宏观物体间近场热辐射的瞬态测量

文摘   科学   2024-07-08 14:39   山东  

论文信息:

Sen Zhang, Yongdi Dang, Xinran Li, Yuxuan Li, Yi Jin, Pankaj K Choudhury, Jianbing Xu and Yungui Ma. Transient Measurement of Near-field Thermal Radiation between Macroscopic Objects, Nanoscale 16, 1167-1175 (2024) .

论文链接:

https://doi.org/10.1039/D3NR04938H

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研究背景



倏逝波在近场状态中的参与可以大大增强自发热辐射,为研究纳米级光子-声子相互作用提供了独特的机会。然而,准确描述这种微妙的现象是非常具有挑战性的。当发射器和接收器之间的间隙距离远小于热波长(室温下λT10μm)时,热激发的倏逝波可以穿过间隙并显著增强热通量。当在有界表面模式(如表面等离子体极化激元(SPP),表面声子极化激元(SPhPs)或双曲模式的辅助下,它变得更加明显。因此,将发射表面设计为具有高光子的局部状态密度(LDOS)是控制热光子以及创造新应用的一个引人注目的研究领域。有大量有趣的物理现象与近场光学相关,在热光伏电池、热逻辑电路、固态制冷、热管理系统等各种应用中具有巨大潜力。作者提出一种瞬态全光学方法来快速表征宏观表面之间的近场辐射传热(NFRHT)与之前的恒温测量不同,该方法将发射器沿厚度的温度梯度忽略不计。瞬态测量可以很大程度上缩短实验时间。通过测量由不同物质(SiCSiO2Si)组成的半有限表面之间的NFRHT来检验该方法的可靠性。





研究内容



系统的热回路如1a所示。存储在发射器中的能量通过三种途径消散:(i)进入腔室环境的远场辐射,(ii)沿纳米柱传导,以及(iii)到接收器的近场辐射。在实验中,沿发射器的厚度方向存在微小的温度梯度。在计算发射器内部储存的热能的释放时,采用顶表面温度。只有当真空通道的热阻远远大于实验所满足的发射器时,近似值才有效。


1 a NFRHT测量配置和简化热电路示意图。(b SiCSiO2Si三种样品的弯曲轮廓图。


实验中使用了三种不同的衬底对:SiC-Al/SiO2SiO2-Al/SiO2 以及 Si-Al/SiO2。在接近 150 nm 的间隙距离处实施校准程序,以提高整体耗散功率并提高校准精度。如2a-2c中绘制了三对不同厚度的冷却曲线。下图所示发射极的瞬态输出能量Qout 的冷却曲线是从 QNF= 0 时使用方程Qout ºcimidT1/dt得出的。SFFScon具有不同的温度依赖性(远场辐射或热传导通道的二次或线性关系)。与实验数据相比,拟合结果显示出较高的精度。三对的远场辐射系数SFF范围为0.200.26,表明发射器和腔室之间的传热有限。另一方面,Scon 的导电系数在 0.47 0.77 的相对较大范围内变化,这表明真正的热接触电阻对接触纳米柱的物质很敏感。可以确定测得的系数(SFFScon)可直接用于后续的NFRHT测量。

2a-c)三种样品冷却过程曲线。(d-f)实验耗散功率数据(Qexp)和拟合曲线(QFF拟合+Qcon拟合)随温度变化曲线。


作者在相同间隙距离下对SiC-SiO2样品对进行瞬态全光方法的检查。三个SiC发射器被放置在SiO2衬底上,以确保均匀性,并精确控制接触和环境条件。3显示了在235 nm间隙距离下的冷却过程和检索到的近场辐射数据。其中 SFF Scon 数量是从初始校准中获取的,误差线为考虑系数误差后计算得到的。通过三次重复测量证明了结果具有显著的一致性,并通过归一化(由每个数据点的平均值归一化)平均绝对误差MAE进行量化,该平均绝对误差MAE总体上小于 7.3%。此外,实验结果与理论预测吻合较好。这些结果也表明了测量方法的稳健性。


3a)三个相同的SiC-SiO2样品的冷却过程。(b)样品的实验近场辐射数据(QNF exp)与理论预测(QNF cal)曲线。


接下来,为证明使用不同模式耦合检测NFRHT的适用性,作者将快速瞬态全光子方法应用于三种不同的样品对。T1100°C降低到接近环境温度的过程只需要大约1分钟。SiC-SiO2SiO2-SiO2Si-SiO2样品对的间隙距离分别为202 nm515 nm400 nm。这些测量是在三种不同的间隙距离下进行的,以评估该方法的适用性和准确性。通过利用测量的校正系数(SFFScon)(见4),可以推导出三个不同通道的瞬态热通量。4d–f描绘了在发射器和接收器之间温差为ΔT的近场热通量分量。理论与测量之间的比较显示出良好的一致性。测得的近场热通量是黑体的2-3倍,突出了倏逝波在NFRHT中的突出作用。

使用绝对偏差比来评估方法的准确性,定义为 |QNF exp/QNF cal -1|×100%4 d-4f)在测量数据和计算数据之间。对于SiC-SiO2样品(4d),当ΔT >25ΔC时波动幅度小于10%。对于SiO2-SiO2 样品(4e),在整个测量的 7 个温度范围内,ΔQ 小于 2.7%。对于Si-SiO2样品(4f),当ΔT >25ΔC时,ΔQ小于4.6%。为了确保高精度,控制和表征样品的瞬态物理状态至关重要。三个样品之间的精度差异可归因于总耗散通道中近场辐射的比例不同。与其他两种测量值(约60%)相比,SiC-SiO2的近场辐射比例(约40%)接近2/3,导致精度较差。

4ac SiC-SiO2SiO2-SiO2SiSiO2三种均相样品的发射器冷却过程。(df)检索了三个样品的实验近场辐射数据 QNF exp(根据系数校准计算的带有误差线的结果)和理论预测结果随ΔT变化曲线。

 





结论与展望



与传统的长时间恒温方法相比,上述采用的无线瞬态测量可以有效地简化校准和测量过程。典型电气方法中的系统误差主要来自粘合剂和多层结构导致的温度分布不均匀,以及热通量计或其他电气元件的精度。这需要对温度和热通量进行耗时且困难的恒温校准。然而,该方法侧重于校正发射器的远场和导电能量传递,这只需要在接收器侧沉积一层金属层。光学加热和传感技术广泛应用于光学领域,但使用热成像仪对毫米级表面进行精确温度测量通常具有挑战性。此外,该方法更容易保持发射表面之间的平行度,以使发射器在冷却或加热过程中承受最小的额外应力。在该研究中,证明了应用该技术的可行性。目前的实验设置可以进一步改进,例如,用温度敏感的光致发光测量代替热成像,以实现更高的分辨率。





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