近日，美国商务部和国家半导体技术中心(NSTC)的运营商Natcast宣布在纽约州立大学奥尔巴尼纳米技术中心建设首个基于美国《芯片与科学法案》的旗舰研发站点。
该站点名为“EUV加速器”，将重点推进最先进的EUV光刻技术的研发工作，并将获得8.25亿美元美国联邦资金支持。同时，该加速器将汇集整个生态系统的NSTC成员，通过为NSTC成员提供技术、能力和关键资源，加速半导体研发和创新。
2023年底，美国纽约州州长曾宣布，将联合IBM、美光、应用材料、东京电子等公司投资100亿美元，在纽约州立大学奥尔巴尼纳米技术综合体兴建下一代High-NA（高数值孔径）EUV半导体研发中心，并且还将利用州政府的资金购买ASML的High-NA EUV光刻机，以支持世界上最复杂、最强大的半导体研发。
据悉，“EUV加速器”站点将于2025年开始运营，预计同年引入0.33NA EUV光刻机，2026年引入High NA EUV光刻机，将支持相关的功能与技术支持。
EUV光刻技术对于制造更小、更快、更高效的微芯片至关重要。随着半导体行业不断突破摩尔定律的极限，EUV光刻技术已成为一项关键技术，可实现以前无法实现的7nm以下晶体管的大批量生产。
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