牟同学 (1996.2.17)
● 2013/09-2017/06
清华大学材料学院 材料科学与工程-本科
主修课程：材料科学基础、固体物理学、电子材料工学
绩点：3.8/4
● 2017/09-2024/06
清华大学材料学院 材料科学与工程-博士
主修课程：自旋电子学材料与器件、计算材料学、电子显微学
绩点：3.5/4
● Tel(微信号)：188*******2
● Email：m****@mails.tsing***.edu.cn
● 获奖经历:：
2014.10 获清华大学材料学院李向兵-庄岭奖学金
2014.12 获清华大学材料学院“优秀志愿者”称号
2017-2022 清华大学未来芯片高精尖创新中心资助最早的运动会就是古希腊的古代奥运会，运动会中每人都能展现自己的光彩迎接胜利的喝彩。
● 类脑计算器件，主要包括用于脉冲神经网络的人工神经元的设计与制备和用于人工神经网络的自旋突触的设计与制备；
● 自旋电子学材料与器件，主要包括垂直磁化薄膜的制备与输运性质研究和表征，以及基于垂直磁化薄膜和非线性元件的磁逻辑器件设计与制备；
● 忆阻器相关材料与器件研究。
● 存储逻辑一体化器件和相关的物理研究（国家自然科学基金面上项目）
【项目时间】
2016/07--2019/06
【项目描述】
本课题以磁纳米异质结构为载体实现基于磁纳米异质结构制备出原型自旋逻辑单元，此外项目支持探索类脑计算器件和忆阻器等其他存算一体化器件的研究。
【个人工作】
1. 负责探索类脑计算器件，主要包括用于脉冲神经网络的人工神经元的设计与制备和用于人工神经网络的自旋突触的设计与制备；
2. 参与探索忆阻器研究，基于银离子在二维二硫化钼表面的迁移设计并制备新型忆阻器，器件实现高度模仿果蝇的学习行为。
【项目成果】
项目顺利结题，获得国家重点研发计划资助，本人参与发表论文3篇。
● 磁纳米异质结构的非易失性和可编程自旋逻辑器件研究 （国家重点研发计划）
【项目时间】
2017/07--2022/06
【项目描述】
本课题以磁纳米异质结构为载体，利用自旋霍尔效应进行低功耗高速度写 入操作，集成半导体微分负电导技术进行高效读取操作。探索设计和制备诸如半加器、 全加器等原型器件的可能性。
【个人工作】
1. 深入研究自旋电子学材料与器件，制备磁纳米异质结构薄膜、研究和 表征其输运性质；
2. 设计与制备基于磁纳米异质结构薄膜和非线性元件的原型自旋逻 辑单元；
3. 制备并逐步优化了半加器、全加器等多种原型器件。
【项目成果】
项目通过国家验收，并滚动进入下一轮国家重点研究计划资助，本人参与 发表论文5篇、在投1篇，参与专利6项。
● 清华大学材料学院 电子显微分析课程助教
【项目时间】
2017/09--2022/06
【个人工作】
1. 协助老师完成教学任务；
2. 负责课后答疑，负责批改作业和错题讲解；
3. 负责组织学生参加课程实验。
● 托福99分、清华大学英语水平Ⅱ考试；
● 熟练掌握L-EDIT 、Multism、COMSOL等电子仿真和设计、有限元分析软件；
● Matlab、Python数值模拟能力，Labview编程能力，AutoCAD、Solidworks等工程 制图能力；
● 熟练掌握多种实验设备操作能力。包括表征设备如：扫描电子显微镜(SEM)、X射 线衍射仪(XRD)，微纳加工设备如：接触式光刻机、电子束光刻机（EBL）、刻 蚀机，材料生长设备如：磁控溅射设备等。
● 科斗（苏州）脑机科技有限公司 科研助理
【实习时间】
2019/07--2019/09
【个人工作】
1. 参与脑机接口相关软硬件产品的研发与生产；
2. 主导优化公司已有产 品的工艺流程；
3. 负责新产品的开发思路与实践。
【实习成果】
1. 设计优化的产品流程被公司采纳并建立长期机制；
2. 获得“优秀实习 生”称号。
● 华北致冷设备有限公司 科研助理
【实习时间】
2016/08--2016/09
【个人工作】
参与半导体制冷设备制造，提出新产品的设计思路和原型。
● 社团经历：院级学生会生活权益部干事、班级委员、天文协会干事
目前以第一作者身份发表SCI论文2篇（另有1篇在投），参与发表其它SCI论文共7篇。以第二作者 身份申请专利1个（第一作者为导师），参与已授权或已公开专利5个。
主要发表论文：
[1] Mou H, Luo Z, Zhang X. A magnetic-field-driven neuristor for spiking neural networks [J]. Applied Physics Letters, 2023, 122(25): 250601.
[2] Mou H, Lu Z, Pu Y, et al. Spin Logic Devices Based on Negative Differential Resistance Enhanced Anomalous Hall Effect [J]. Int J Miner Metall Mater, 2024, n/a(n/a): n/a. https://doi.org/10.1007/s12613- 024-2855-2
[3] Mou H, Luo Z, Zhang X, Tunable magnetic synapse for reliable neuromorphic computing. (Submitted)
[4] Lu Z, Mou H, Pu Y, et al. Magnetic Full Adder Based on Negative Differential Resistance-Enhanced Anomalous Hall Effect [J]. IEEE Magnetics Letters, 2022, 13: 1-5.
[5] Pu Y, Mou H, Lu Z, et al. Speed enhancement of magnetic logic-memory device by insulator-to-metal transition [J]. Applied Physics Letters, 2020, 117(2): 022407.
主要申请专利：
[1] 章**，牟同学，一种用于尖峰神经网络的磁场驱动的人工神经元，申请号: CN202310744817.9，公开(公告)号: CN116776944A。
[2] 章**，卢**，牟同学等， 一种可实现半加器运算功能的磁算术逻辑器件，专利号：ZL 202110410517.8。
[3] 章**，卢**，熊**，牟同学等，一种可实现二位数据存储及逻辑运算的磁存算一体化器 件，专利号：ZL202110483219.1。
与华为公司一起共同申请以下两个专利：
[4] 章**，蒲**，卢**，牟同学等，自旋逻辑器件、存算一体器件、半加器和全加器，申请 号: CN202180093546.4，PCT专利申请号：PCT/CN2021/094983，公开(公告)号: CN116830198A。
[5] 章**，卢**，蒲**，牟同学 等，计算电路和电子设备，PCT专利申请号：PCT/CN2021/120476。
咨询请联系秘书处
END
