1、 表面清洗
2、 初次氧化
3、 CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉积一层 Si3N4 (Hot CVD 或 LPCVD) 。
(2)低压 CVD (Low Pressure CVD)
(3)热 CVD (Hot CVD)/(thermal CVD)
(4)电浆增强 CVD (Plasma Enhanced CVD)
(5)MOCVD (Metal Organic (6)外延生长法 (LPE)
4、 涂敷光刻胶 (1)光刻胶的涂敷
(2)预烘
(3)曝光
(4)显影
(5)后烘
(6)腐蚀
(7)光刻胶的去除
5、 此处用干法氧化法将氮化硅去除
6 、离子布植将硼离子 (B+3) 透过 SiO2 膜注入衬底，形成 P 型阱 7、 去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理
8、 用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷 (P+5) 离子，形成 N 型阱
9、 退火处理，然后用 HF 去除 SiO2 层
10、干法氧化法生成一层 SiO2 层，然后 LPCVD 沉积一层氮化硅
14、LPCVD 沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧 化生成 SiO2 保护层。
15、表面涂敷光阻，去除 P 阱区的光阻，注入砷 (As) 离子，形成 NMOS 的源漏极。用同样的 方法，在 N 阱区，注入 B 离子形成 PMOS 的源漏极。
16、利用 PECVD 沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。
18、濺镀第一层金属
(1) 薄膜的沉积方法根据其用途的不同而不同，厚度通常小于 1um 。(2) 真空蒸发法( Evaporation Deposition )
(3) 溅镀( Sputtering Deposition )
19、光刻技术定出 VIA 孔洞，沉积第二层金属，并刻蚀出连线结构。然后，用 PECVD 法氧 化层和氮化硅保护层。20、光刻和离子刻蚀，定出 PAD 位置 21、最后进行退火处理，以保证整个 Chip 的完整和连线的连接性
答:(1) 干蚀刻(2) 湿蚀刻
答:poly,oxide, metal
答:Oxide etch and nitride etch
答:氧化硅/氮化硅
答:利用液相的酸液或溶剂;将不要的薄膜去除
答:利用 plasma 将不要的薄膜去除
答:蚀刻过多造成底层被破坏
答:单位时间内可去除的蚀刻材料厚度或深度
答:光阻去除
答:将晶圆表面的水份去除
答:(1) Spin Dryer (2) Marangoni dry (3) IPA Vapor Dry
答:利用离心力将晶圆表面的水份去除
答:利用表面张力将晶圆表面的水份去除
答:利用 IPA(异丙醇)和水共溶原理将晶圆表面的水份去除
答:Tencor Surfscan
答:膜厚计,测量膜厚差值
答:After Etching Inspection 蚀刻后的检查
答:(1) 正面颜色是否异常及刮伤 (2) 有无缺角及 Particle (3)刻号是否正确
答:清机防止金属污染问题
答:去光阻及防止腐蚀
答:因为金属线会溶于硫酸中
答:烘烤
答:90~120 度 C
答:Cl2, HBr, HCl
用于 Al 金属蚀刻的主要气体为
用于 W 金属蚀刻的主要气体为
何种气体为 oxide vai/contact ETCH 主要使用气体?
答:H2SO4/H2O2
AMP 槽的化学成份为:
答:NH4OH/H2O2/H2O
UV curing 是什幺用途?
答:利用 UV 光对光阻进行预处理以加强光阻的强度
答:金属层
何谓 EMO?
答:机台紧急开关
EMO 作用为何? 答:当机台有危险发生之顾虑或已不可控制,可紧急按下 湿式蚀刻门上贴有那些警示标示?
答:(1) 警告.内部有严重危险.严禁打开此门 (2) 机械手臂危险. 严禁打开此门 (3) 化 学药剂危险. 严禁打开此门
答:严禁以手去测试漏出之液体. 应以酸碱试纸测试. 并寻找泄漏管路.
答:立即关闭 IPA 输送管路并以机台之灭火器灭火及通知紧急应变小组
答:HF(氢氟酸)与 NH4F(氟化铵).
答:Buffered Oxide Etcher 。
何谓 ESC(electrical static chuck)
答:利用静电吸附的原理, 将 Wafer 固定在极板 (Substrate) 上
答:O2
答:温度
答:利用涡轮原理,可将压力抽至 10-6TORR
简述 BACKSIDE HELIUM COOLING 之原理?
答:搜寻 notch 边,使芯片进反应腔的位置都固定,可追踪问题
答:侦测蚀刻终点;End point detector 利用波长侦测蚀刻终点
答:mass flow controler 气体流量控制器;用于控制 反应气体的流量
答:气体分配盘(gas distribution plate)
答:均匀地将气体分布于芯片上方
答:等向性蚀刻;侧壁侧向蚀刻的机率均等
答:非等向性蚀刻;侧壁侧向蚀刻的机率少
答:不同材质之蚀刻率比值
答:蚀刻后特定图形尺寸之大小,特征尺寸(Critical Dimension)
答:蚀刻 CD 减蚀刻前黄光 CD
答:利用混合变因安排辅以统计归纳分析
答:Wafers 经由 loadlock 后再进出反应腔,确保反应腔维持在真空下不受粉尘及湿度 的影响.
答:Bulk Gas 为大气中普遍存在之制程气体, 如 N2, O2, Ar 等. 厂务供气
答:Inert Gas 为一些特殊无强烈毒性的气体, 如 NH3, CF4, CHF3, SF6 等.
答:传导热
答:即 Remote Power Module,系统总电源箱.
火灾异常处理程序
答:(1) 立即警告周围人员. (2) 尝试 3 秒钟灭火. (3) 按下 EMO 停止机台. (4) 关闭 VMB Valve 并通知厂务. (5) 撤离.
答:(1) 警告周围人员. (2) 按 Pause 键,暂止 Run 货. (3) 立即关闭 VMB 阀,并通知厂务. (4) 进行测漏.
答:(1) 确认安全无虑下,按 EMO 键(2) 确认受伤原因(误触电源,漏水等)(3) 处理受伤 人员
答:提供一个真空环境, 以利机器手臂在反应腔与晶舟间传送 Wafer,节省时间.
答:Seasoning(陈化处理)
答:机台日常检点项目, 以确认机台状况正常
答:无 wafer 自动干蚀刻清机
答:干蚀刻清机
答:因为要蚀刻到多少厚度的 film,其中一个重要参数就是蚀刻率 操作酸
答:(1) 穿戴防酸碱手套围裙安全眼镜或护目镜(2) 操作区备有清水与水管以备不时之 需(3) 操作区备有吸酸棉及隔离带
答:使用 heater 和 chiller
答:用以帮助稳定 chamber 温度
答:(1) 首先确立 chamber parts 组装完整(2) 以 dry pump 作第一阶段的真空建立(3) 当圧力到达 100mTD寺再以 turbo pump 抽真空至 1mT 以下
答:侦测 chamber 的压力,确保 wafer 在一定的压力下 process
答:将 wafer 传进 chamber 与传出 chamber 之用
答:上一次 wet clean 到这次 wet clean 所经过的时间
为何需要对 etch chamber 温度做监控?
答:因为温度会影响制程条件;如 etching rate/均匀度
答: (1) 在 PM 后 PUMP Down 1~2 小时后;为确保 chamber Run 货时,无大气进入 chambe 影响 chamber GAS 成份(2) 在日常测试时,为确保 chamber 内来自大气的泄漏源,故需测漏
答:(1) 若为火警,立即圧下 EMO(紧急按钮),并灭火且通知相关人员与主管(2) 若是一 般异常,请先检查 alarm 讯息再判定异常原因,进而解决问题,若未能处理应立即通知主要负 责人
答:一般无毒性废气/有毒酸性废气排放
答:208V 三相
答:(1) Load/Unload 端 (2) transfer module (3) Chamber process module (4) 真 空系统 (5) GAS system (6) RF system
答:(1) 晶圆洗净(wafer cleaning) (2) 湿蚀刻(wet etching).
答:(1) Batch type(immersion type): a) carrier type b)Cassetteless type (2) Single wafer type(spray type)
答:去除金属杂质,有机物污染及微尘.
答:(1) 微粒子(2) 金属(3) 有机物(4) 微粗糙(5) 天生的氧化物
答:去除微粒子及有机物
答:去除有机物
答:去除金属
答:去除自然氧化膜及金属
答:去除自然氧化膜及金属
答:氧化膜湿式蚀刻
答:氮化膜湿式蚀刻
0.25 微米逻辑组件有那五种标准清洗方法?
答:(1) 扩散前清洗(2) 蚀刻后清洗(3) 植入后清洗(4) 沉积前洗清 (5) CMP 后清洗
答:去除不溶性的微粒子污染
答:(1) 锯晶圆(wafer saw) (2) 晶圆磨薄(wafer lapping) (3) 晶圆拋光(wafer polishing) (4) 化学机械研磨
答:(1) 多槽全自动洗净设备 (2) 单槽清洗设备 (3) 单晶圆清洗设备. 单槽
答:(1) 较佳的环境制程与微粒控制能力. (2) 化学品与纯水用量少. (3) 设备调整弹 性度高.
答:(1) 产能较低. (2) 晶圆间仍有互相污染
答:产能低与设备成熟度
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