A16制程技术的亮点
A16制程技术将采用全环绕栅极（GAAFET）纳米片晶体管，其架构类似于台积电的N2系列制程技术（2nm级）。此外，它还包含背面电源轨，用于提高电源传输效率并增加晶体管密度。与N2P制程技术相比，A16预计在相同电压和复杂度下性能提升8%-10%，或者在相同频率和晶体管数量下功耗降低15%-20%。台积电还估计，针对高端AI处理器的设计，A16可实现芯片密度提升1.07倍至1.10倍，具体取决于晶体管类型和使用的设计库。
根据台积电设计解决方案探索与技术基准部门负责人王健（Ken Wang）介绍，从N2P迁移到A16的逻辑布局相对简单，因为单元结构和大部分布局模式几乎相同。
他说：“从N2P到A16的逻辑布局迁移其实非常直接，因为两者的单元结构和大多数布局模式几乎相同。A16的亮点之一在于，它继承了N2的NanoFlex功能，通过调整器件宽度来实现最大的驱动强度。”
BSPDN（背面供电网络）的优势和挑战
台积电的超级电源轨（SPR）通过专用接触直接连接晶体管的源极和漏极到背面供电网络，极大地缩短了导线长度并降低电阻，从而最大化性能和功率效率。从生产角度来看，这种实现方式是迄今最复杂的BSPDN设计之一，甚至超过了Intel的Power Via。
然而，先进的BSPDN实现也意味着芯片设计师必须完全重新设计其电源传输网络，采用新的布线策略。此外，由于芯片的热点将位于一组导线的下方，散热将变得更加困难，因此需要进行额外的热量缓解设计。
设计采用背面供电网络的芯片本质上意味着采用新的实现方法，包括设计流程本身的变化。王健提到了需要新的热感知布线软件、新的时钟树构造、不同的IR-Drop分析、不同的电源域以及新的热分析签核工具等。
EDA工具和设计生态支持
由于这一新实现流程的复杂性，需要新版EDA工具和仿真软件的支持。尽管A16的节点类似于N2，许多工具已准备就绪，但目前主要EDA厂商（如Cadence和Synopsys）仅推出了“ pre-0.5版”工具。
王健表示：“A16是一项适用于复杂布线和高密度PDN设计的技术，但也带来了新挑战，因此需要额外的设计工作。我们的背面通孔VB（Backside Via）也需要在硅片上进行全面验证。与此同时，我们正在开展全面的A16 EDA支持计划，并将持续更新A16 EDA工具的状态。”
总结来看，台积电的A16技术虽然带来了显著的性能和功耗提升，但也提出了新的设计挑战。该技术将成为高端AI处理器等复杂设计的强大工具，同时推动EDA工具与设计方法的进一步发展。
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