新 闻1: 英特尔联席CEO称晶圆代工业务已相当独立,未来是否剥离需更深入讨论
新 闻 2: Intel确认Panther Lake采用18A工艺,目前已向客户送出ES0样品
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新 闻3: 英特尔代工介绍多项技术进步,运用新材料,并引入创新的晶体管和封装技术
减成法钌互连技术(subtractive Ruthenium) - 这是一种新的关键替代金属化材料,团队首次展示了一种实用、经济、大批量生产相兼容的新工艺。在间距小于或等于25nm的情况下,最高可将线间电容降低25%,有助于改善芯片内互连。 选择性层转移(Selective Layer Transfer,SLT) - 这是一种用于先进封装的异构集成解决方案,能将吞吐量提升高达100倍,从而实现了超快速的芯片间封装(chip-to-chip assembly)。与传统的芯片到晶圆键合相比,具有更好的灵活性,可以实现更小的芯片尺寸和更高的宽高比,允许更高的功能密度,并提供了更高效、更具成本效益的解决方案。 Silicon RibbonFET CMOS(互补金属氧化物半导体) - 团队展示了栅极长度为6nm的Silicon RibbonFET CMOS晶体管,将栅极缩放到极限。 用于缩放GAA 2D FET的栅极氧化层(Gate Oxide)模块 - 为了进一步加速超越CFET的栅极全方位创新,团队展示了其在制造栅极长度为30nm的GAA 2D NMOS和PMOS晶体管制造方面的工作。
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