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12月18日，长飞先进武汉基地项目举行首批设备搬入仪式，标志着长飞先进武汉基地即将迈入工艺验证新阶段，全面投产正式进入倒计时。本次搬入的设备涵盖芯片制造各个环节，包括薄膜淀积、离子注入、光刻、刻蚀等，较原定设备搬入时间大幅提前。长飞先进总裁陈重国表示，首批设备的进驻，标志着武汉基地项目正式进入产能建设新阶段，接下来还将面临工艺验证、产品通线等更多、更难的挑战。目前，长飞先进武汉基地项目正加快推进建设并对设备进行安装调试，预计2025年5月实现量产通线。长飞先进武汉基地聚焦第三代半导体功率器件研发与生产，总投资预计超过200亿元，其中项目一期总投资80亿元，规划年产36万片6英寸碳化硅晶圆。对于半导体行业而言，厂房建设一般主要分为四个阶段：设备选型、设备搬入、工艺验证及产品通线。2023年8月25日，长飞先进半导体第三代半导体功率器件研发生产基地落户武汉新城；7天后，项目正式启动建设。今年6月，主体结构全面封顶。从打下第一根桩到实现结构封顶，厂房建设耗时不到10个月，创造了百亿级投资项目建设新速度。武汉未来科技城指出，该项目达产后，预计可年产36万片6英寸碳化硅晶圆及外延、6100万个功率器件模块，广泛应用于新能源汽车、光伏、储能、充电桩等领域，还将吸引并带动更多化合物半导体产业链上下游企业聚集、交流与协作，加快构建更加完善的碳化硅产业生态。
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