HW公布HBM专利(附股)

美体   2024-12-04 23:33   北京  

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国内分析人士指出,想要突破HBM技术门槛,国内企业首先需要生产出一流的DRAM,然后再向3D堆叠技术发展。先进DRAM的技术门槛和制造工艺要求极高,同时也依赖于EUV曝光机的支持。
从DRAM向HBM转型,需要克服如TSV技术和堆叠键合工艺等多项关键技术的挑战。国内部分企业虽有一定的DRAM和先进封装技术基础,但掌握的DRAM工艺制程明显落后于国际水平,且在DRAM上应用TSV、micro-bumping和堆叠键合等先进封装工艺的经验有所不足。
相关个股(HBM国产替代产业链):
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