近年来，光刻技术在全球半导体制造中扮演着至关重要的角色，尤其在高端芯片制造领域。光刻机作为实现这一技术的核心设备，其市场长期以来被荷兰的ASML（阿斯麦）公司垄断。然而，随着国际局势的变化，特别是美国对中国的制裁措施，光刻机市场正在发生显著变革。中国通过自主研发在光刻技术方面取得重大突破，不仅打破了ASML的垄断地位，也对其业绩造成了明显冲击。
ASML最近发布的财报显示，其2024年第一季度净销售额为53亿欧元，环比下降27%，毛利率为51.0%，净利润为12亿欧元，环比下降40%。此外，截至3月底的订单量仅为36.1亿欧元，远低于市场预期的51亿欧元。这些数据充分反映出ASML正面临前所未有的挑战。
ASML业绩下滑的主要原因之一是其对中国市场的销售受限。美国对中国实施的技术封锁和出口限制政策，严重影响了ASML向中国出售最先进的光刻机设备的能力。具体来说，美国禁止ASML向中国出售极紫外光刻机（EUV），并对深紫外光刻机（DUV）的出口也施加了严格的限制。这直接导致了ASML在中国市场的销售额大幅下降。
中国是全球最大的半导体市场之一，光刻机作为芯片制造的关键设备，其需求量巨大。尽管ASML仍然可以向中国出售二手光刻机，2023年中国市场仍占其总销售额的26%，但由于出口限制的影响，ASML在中国市场的未来增长受到了极大的制约。这也直接反映在ASML的订单量和销售额上。
在ASML发布财报后，资本市场对其业绩表现做出了迅速反应。ASML的股价在消息发布后大幅跳水，夜盘交易一度下跌超过11%。这反映了投资者对ASML未来前景的担忧，尤其是在中美科技博弈持续升温的背景下，ASML面临的不确定性增加。
和ASML不同，中国虽然被美国和ASML联合制裁，但也反而促使中国在半导体领域加速自主研发进程，取得了一系列显著成就。面对这些外部压力，中国通过国家资本和民间资本的协同努力，集中资源攻关关键技术，逐步走出了一条自主研发的道路。2023年，中国自主研发的光刻机在国内市场的份额已经达到15%，全球市场份额也达到了5%。这一成就不仅彰显了中国在光刻技术上的重大突破，也展示了中国在全球半导体产业链中逐步增强的竞争力。
中国政府高度重视半导体行业的发展，将其视为国家科技自主和产业安全的核心组成部分。通过“国家集成电路产业投资基金”等多种方式，中国政府投入了大量资金支持半导体产业的发展。这些资金不仅用于现有企业的技术研发和生产能力提升，还用于孵化和扶持新兴企业。国家政策的支持，为中国半导体行业的快速发展提供了坚实的基础。此外，中国的科研机构和企业紧密合作，联合攻关，突破了许多关键技术瓶颈。例如，中国科学院光电研究所与国内半导体企业如中芯国际、华虹集团等紧密合作，为国内光刻机的自主化奠定了基础。
技术进步和量产能力的提升，使得中国在光刻机技术上取得了显著进展。中国已实现了从90nm、65nm到28nm等多个节点的自主研发和量产，虽然这些技术节点与国际最先进水平仍有一定差距，但已经能够满足国内外部分市场的需求，如汽车芯片、物联网芯片和安防芯片等领域。更为重要的是，中国在更先进的制程方面也取得了重要进展。中国科研团队正加紧研发7nm甚至更低节点的光刻机，并已初见成效。这些突破不仅标志着中国在半导体制造技术上的自主能力显著增强，也预示着中国有望在不久的将来实现对高端芯片制造的全面自主化。
中国半导体行业的快速崛起还得益于对人才的重视和培养。国内多所高校开设了专门的半导体技术课程，培养了一大批高素质的技术人才。此外，中国还积极寻求国际合作，通过并购、技术引进等方式，吸收全球先进技术和管理经验，为自主研发提供了坚实的基础。面对美国及其盟友的技术封锁，中国采取了多种应对策略，包括增加对关键技术的研发投入、加速国产替代进程等。在国家政策的支持下，中国企业通过自主研发和技术创新，不断突破技术封锁，实现了从技术追赶到部分领域的超越。
随着中国半导体产业链的不断完善，从上游的材料、设备供应商，到中游的芯片制造企业，再到下游的应用市场，中国逐步建立起了完整的半导体产业生态系统。这种完整的产业链布局，使得中国在应对外部技术封锁时，具有更强的抗风险能力和自主发展能力。
