1. 可在2273K（2000℃）以上高温条件下使用
2. 密度在100～300kg／m3之间
3. 压缩强度在0.1～1.0MPa之间
4. 挠曲强度≥1.0MPa
5. 碳含量占总固体的99.9%以上
2. 稀土金属及合金材料的生产技术
3. 钐钴、钕铁硼、铈磁体制备技术
4. 稀土硼酸氧钙制备技术
（1）抗静电≥2,500V，抗瞬时剂量率＞1×10 11 rad（Si）/s的CMOS／SOS〔蓝宝石上外延硅／互补型金属氧化物半导体〕器件制造技术（2）抗静电≥3,000V，抗瞬时剂量率＞1×10 11 rad（Si）/s的双极器件制造技术
同时满足以下条件的电池用磷酸铁锂制备技术
飞机轮胎制造技术
2. 连续SiC（碳化硅）纤维生产技术
3. 具有下列特征的碳纤维制品加工技术
（1）细编穿刺织物技术
（2）三向锥体织物技术
4. 氮化硼（BN）纤维防潮涂层制备技术
5. 氧化锆纤维隔热材料制备技术
6. 化学气相沉积法（CVD）制备碳化硅（SiC）纤维技术
2. 超长（＞250mm）铌酸锂晶片的制作方法
（1）长度＞280mm，直径＞40mm铌酸锂晶的生长技术
（2）长度＞250mm，铌酸锂单晶片精加工技术
3. 长度＞180mm的硅酸铋（BSO）、锗酸铋（BGO）单晶生长工艺及晶片加工技术
4. 75-3水溶性光致抗蚀掩孔干膜制备工艺
5. 制造自泵浦相位共轭器（SPPCM）用钨青铜光析变单晶生长工艺
6. 铌酸钾（KNbO3）晶体的原料处理技术和生长工艺
7. 磷酸氧钛钾（KTP）晶体生长控制技术
8. 具有下列性能的抗辐射人造水晶生长工艺
（1）品质因数（Q）值≥3×106
（2）包裹体级别不低于IECI（国际电工技术委员会）的A级
（3）铝（Al）含量≤1ppm
（4）腐蚀隧道密度≤10条/cm2
9. 稀土－铁（Tb-Dy-Fe系）超磁致伸缩单晶材料的制备技术
10. 四硼酸锂、三硼酸锂（LBO）晶体的生长工艺
11. 掺钕硼酸铝钇（NYAB）晶体的生长工艺
12. 钛酸钡锶（SBT）晶体的生长工艺
13. 偏硼酸钡（BBO）晶体的生长工艺
14. 硼铍酸锶（SBBO）晶体的生长工艺
15. KBBF晶体生长与棱镜耦合器件加工技术
16. 硅酸钇镥（LYSO）晶体生长工艺
17. 溴化镧（LaBr3:Ce）晶体生长工艺
2. 用于高压容器（压力≥25MPa）的纤维增强树脂基耐烧蚀、隔热、防热、复合材料生产技术
3. 容重1.5～1.7g／cm2，烧蚀率≤0.22mm／s的纤维增强树脂基耐烧蚀复合材料生产技术
4. 热熔法工艺中树脂基体配方
2. 军用隐身材料的配方及生产技术3. 耐温≥2000℃的发散（汗）冷却材料的配方及生产技术
2. 通过离子交换法、树脂法等方法从氧化铝母液中提取金属镓的技术和工艺
4. 同时具有下列特性的高温超导线、带制造技术
（1）临界温度＞77K，长度＞100m，临界电流密度＞1×104 A／cm2（在77K，自场强下）
5. 同时具有下列特性的高温超导薄膜制造技术
（1）临界温度＞77K，面积＞5cm2，临界电流密度＞1×10 6 A／cm2（在77K，零场强下）
6. 稀土的采矿、选矿、冶炼技术（已列入禁止出口的技术除外）
7. 稀土萃取剂的合成工艺及配方
8. 金属材料的稀土改性添加技术
非晶材料的卷取技术
（1）硬质耐冲击材料制备技术
（2）纳米级晶粒制备技术
3. 纳米级超细粉的制备技术
（1）稀土－硼共渗剂配方
（2）稀土－硼共渗处理工艺
2. 稀土、碳、氮共渗和稀土、碳共渗的配方及工艺
3. 装载机斗齿材料的配方及热处理工艺
（1）WC-Co（碳化钨－钴）亚微米级粉末制备技术
（2）WC-Co（碳化钨－钴）亚微米晶粒复合材料制备技术
2. 纤维增强铝基复合材料的制备技术
3. 超混杂铝基复合板的制备技术
（1）竹材改性工艺
（2）改性竹材增强铝复合工艺
（3）维尼纶增强铝复合工艺
4. 化学气相渗制备复合材料技术
2. 下列大中型薄壁变曲面铸件电渣熔铸技术
（1）非稳定状态下各种温度场的确定
（2）构造电渣熔铸变曲面构件的软件包
（1）波纹成型工艺
（2）转筒旋压工艺及表面处理工艺
（3）转子装配、调试工艺
2. 金属离心机上、下阻尼器制造技术
（1）上阻尼壳体成型工艺
（2）装配调整工艺
（3）上、下阻尼结构参数、性能参数检测原理、方法及所用实验测试装置
2. 三环式减速（或增速）传动装置制造技术
（1）设计参数的选择
（2）制造工艺技术
1. 不含钽的镍基合金铸造与加工
2. 用于工作温度≥850℃的表面防高温腐蚀涂层，寿命≥10,000h
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