Pcore™2 E1B /Pcore™4 E1B
1200/650V E1B封装工业级碳化硅功率模块
为更好满足工业客户对于高功率密度的需求，基本半导体开发推出了工业级全碳化硅MOSFET功率模块Pcore™2 E1B和Pcore™4 E1B。该系列产品采用了Press-Fit压接工艺、带NTC温度检测以及高封装可靠性的氮化硅（Si3N4）AMB基板等技术，在比导通电阻、开关损耗、抗误导通、抗双极性退化等方面表现出色，可应用于大功率充电桩、有源电力滤波器（APF）、储能变流器（PCS）、高端电焊机、数据中心UPS、高频DCDC变换器等领域。
产品拓扑
产品特点
高晶圆可靠性
新型内部构造极大抑制了碳化硅晶体缺陷引起的RDS(on)退化。
优异抗噪特性
宽栅-源电压范围（VGSS: -10V~+25V），及更高阈值电压（VGS(th).typ = 4.0V），便于栅极驱动设计。
高热性能及高封装可靠性
高性能氮化硅AMB陶瓷基板及高温焊料引入，改善温度循环的CTE失配，陶瓷板的可靠性大幅提升。
Press-Fit连接技术
集成NTC温度传感器
应用优势
低导通电阻
低开关损耗
提高系统效率，降低系统散热需求
可提高开关频率，以降低设备体积，提高功率密度
高阈值电压，降低误导通风险
应用领域
大功率充电桩
有源电力滤波器（APF）
储能变流器（PCS）
高端电焊机
数据中心UPS
高频DCDC变换器
产品列表
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关于
基本半导体
深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体创新企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳，在北京、上海、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队，核心成员包括二十余位来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞士联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的博士。
基本半导体掌握碳化硅核心技术，研发覆盖碳化硅功率半导体的材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等产业链关键环节，拥有知识产权两百余项，核心产品包括碳化硅二极管和MOSFET芯片、汽车级碳化硅功率模块、功率器件驱动芯片等，性能达到国际先进水平，服务于光伏储能、电动汽车、轨道交通、工业控制、智能电网等领域的全球数百家客户。
基本半导体是国家级专精特新“小巨人”企业，承担了国家工信部、科技部及广东省、深圳市的数十项研发及产业化项目，与深圳清华大学研究院共建第三代半导体材料与器件研发中心，是国家5G中高频器件创新中心股东单位之一，获批中国科协产学研融合技术创新服务体系第三代半导体协同创新中心、广东省第三代半导体碳化硅功率器件工程技术研究中心。
