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宽带半导体材料是现代电子学器件的关键组成部分，但是目前改善晶体质量仍然具有非常大的空间，目前改善的手段包括材料/异质结选择、规模化、使用价格便宜的宽能带半导体材料。从这些角度考虑，因此层状2D材料与宽能带半导体结合是个具有前景的策略。
有鉴于此，伊利诺伊大学香槟分校Hyunseok Kim、Soo Ho Choi、成均馆大学Il Jeon等综述报道将宽能带半导体材料和2D材料集成的相关研究进展。
本文要点
1）总结了这种宽能带半导体-2D材料的制备技术、机理、器件、新型功能等。对宽能带半导体和2D材料的各种性质，包括外延生长/非外延生长方法、材料的转移，以及这些技术的优势和挑战。
2）详细讨论了2D材料与WBG材料构筑异质结的优势，对未来发展面临的挑战和未曾探索的前景做出展望。
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参考文献：
Soo Ho Choi, Yongsung Kim, Il Jeon, Hyunseok Kim, Heterogeneous Integration of Wide Bandgap Semiconductors and 2D Materials: Processes, Applications, and Perspectives, Adv. Mater. 2024
DOI: 10.1002/adma.202411108
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/adma.202411108
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