金融界2024年12月10日消息，国家知识产权局信息显示，安徽万磁电子股份有限公司申请一项名为“一种无重稀土钕铁硼磁体及其生产工艺”的专利，公开号 CN 119092240 A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明公开了一种无重稀土钕铁硼磁体及其生产工艺，属于稀土永磁材料技术领域。所述无重稀土钕铁硼磁体，由PrAl CuCo合金纳米颗粒和NdFeB复合纳米材料组成，所述PrA l CuCo合金纳米颗粒的原子百分比成分为：Pr35Al 50CuxCo15‑x，0＜x＜15；所述NdFeB复合纳米材料的原子百分比成分为：Nd10Fe84B6；所述PrAl CuCo合金纳米颗粒与NdFeB复合纳米材料的质量比为0.5‑1.5：6。在制备无重稀土钕铁硼磁体的过程中，采用800‑1000℃作为合金纳米颗粒对钕铁硼的渗透温度，其可有效促进共晶的渗透过程且避免晶粒的过度生长，提高钕铁硼磁体的矫顽力。
本文源自：金融界
作者：情报员
