金融界2024年12月12日消息，国家知识产权局信息显示，安徽万磁电子股份有限公司申请一项名为“一种低硼高矫顽力的钕铁硼永磁体”的专利，公开号CN 119108173 A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明公开了一种低硼高矫顽力的钕铁硼永磁体及其制备方法，属于永磁体技术领域，该永磁体的制备方法包括以下步骤：以Pr、Fe、Cu、Ga为原料，通过真空甩带炉熔炼得到Pr65Cu25甩带片和Pr65Fe30Ga5的甩带片，通过三头研磨机研磨，得到Pr65Cu25合金粉末和Pr65Fe30Ga5合金粉末，之后在氩气或氮气保护下，将两者混合，得到添加相粉末；将添加相粉末加入主相合金粉末中，加入润滑剂，混合、研磨、压制成型、等静压处理、烧结和回火处理即可，本发明采用低硼钕铁硼磁体原料制备主项合金粉末，以Pr、Fe、Al、Cu、Ga原料制备添加相粉末。获得的钕铁硼永磁体，具有较高的矫顽力以及磁性能。
本文源自：金融界
作者：情报员
