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抑制异质结非辐射复合对于实现高性能半导体光电器件至关重要。针对该科学问题，华东师范大学物理与电子科学学院保秦烨教授，瑞典林雪平大学高峰教授，吉林大学张立军教授等详细探索了卤化物半导体/有机半导体异质结的电子结构物性，提出了一种协同双分子（SBI）界面调控策略，构筑出具有优异载流子提取的异质结，并应用于模型器件钙钛矿光伏器件进行验证，创造了非辐射复合损失仅59 meV。
近期，该研究成果以“Reducing nonradiative recombination for highly efficient inverted perovskite solar cells via a synergistic bimolecular interface”为题发表在Nature Communications上。
图1.通过高分辨光电子能谱超高真空互联原位表征系统（ARUPS/IPES/XPS）和KPFM，发现SBI诱导表面原位反应，重构卤化物半导体表面能量分布，形成电负性双偶极，从而与有机半导体PCBM的整数电荷转移态Integer Charge Transfer（ITC）销钉，显著增强异质结界面处电子提取的效能。
图2.本工作同时实现光伏器件高的开路电压和低的非辐射复合损失。
该研究得到了科技部重点研发计划､基金委优青､国际合作重点项目等的支持。
研究团队 | 作者
酥鱼 | 编辑
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