![]()
二维半导体为构建新型纳米器件提供了大量的机会，作为其中的代表二硒化铼ReSe2已在二维激光、晶体管和光电探测器等领域取得了一系列进展。近日，电子科技大学的王曾晖、夏娟、朱健凯、徐博（均为通讯作者）等提出了基于二维半导体ReSe2的高频-超高频纳米机电谐振器，填补了此类材料在机械自由度领域研究的空白，论证了此类器件在精密传感、信号处理等领域的潜力。课题组的研究人员们通过干法转移技术，制备了从单层到超百层的30余个圆形ReSe2鼓膜谐振，器件工作在高频-超高频范围。在进一步对器件谐振的实验数据进行总结和分析后，研究人员们成功确定了二维ReSe2晶体的杨氏模量为110 GPa，并确立了ReSe2纳米机电器件的频率设计规律。上述成果有望为新型ReSe2纳米器件的设计及其应用提供重要的指导，并推动二维ReSe2纳米机电器件的发展。图1 ReSe2的晶体结构，基于1-3层ReSe2材料的纳米机电器件，及此类器件的频率设计规律和二维ReSe2晶体的杨氏模量提取。 这一研究成果以 “HF-VHF NEMS Resonators Enabled by 2D Semiconductor ReSe2”为题，将发表在 Science China Information Sciences 2024年第67卷、第10期上。研究得到了国家自然科学基金等项目和课题的支持。
重磅！上百位专家联合撰写综述，制定二维材料信息技术发展路线图！
硅基二维半导体材料与器件重大项目专题出版 | 特邀编辑：杨德仁、徐明生、王欣然
SCIS 新型二维材料与器件应用专题(2023)
后摩尔时代新器件重大研究计划专题简介
第347期双清论坛成果 — 集成电路未来发展与关键问题观点专题合辑
![]()
