据了解，该二期项目位于北京市大兴区大兴新城东南片区0605-022C地块为现有工程东侧空地；项目总占地面积52790.032m²，总建筑面积105913.29m²，包括生产厂房、化学品库、危废库、一般固废库、综合楼、门卫等。
该项目用于扩大天科合达碳化硅晶体与晶片产能，同时建设研发中心以对生产工艺和参数持续进行优化和完善，投产后将实现年产约37.1万片导电型碳化硅衬底，其中6英寸导电型碳化硅衬底23.6万片，8英寸导电型碳化硅衬底13.5万片。
天科合达总经理 杨建
杨建总经理在致辞中表示：
“公司核心产品为6-8英寸碳化硅衬底，技术参数指标与国际龙头企业相当，产品质量达到国际先进水平，已向国内外多家企业及科研机构批量供应，为国产碳化硅材料在功率器件、微波射频器件等领域的应用奠定了基础。同时，公司的产品畅销至日本及欧美在内的20多个国家和地区，是国内少数能够进入国际知名企业的高端技术产品。”
天科合达表示，在国家积极推进半导体行业进步的大环境下，迅速响应国家战略需求，专注于第三代半导体材料的创新研发及量产工作。随着北京二期项目的启动，标志着天科合达开启了崭新的发展篇章，同时为区域经济的蓬勃发展注入了新的动力。该项目不仅将推动公司在碳化硅衬底材料领域的技术进步和产能扩张，也能通过优化生产流程和提高效率，有效降低成本。
编辑：芯智讯-浪客剑 来源：天科合达、中国电子材料行业协会
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