• 理论计算验证： 多空间密度泛函理论（MS-DFT）计算验证了实验结果，并支持碳取代硼位点（CB）是RTS的可能原子缺陷。 这些结果为进一步理解hBN中的原子缺陷，材料改良及其对二维材料设备性能的影响提供了重要的基础。 图4: 理论计算验证 【原文详情】Huang et al, Characterizing
Defects Inside HexagonalBoron Nitride
Using Random TelegraphSignals in van
der Waals 2D Transistors, ACS Nano, 2024.https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.4c06929
