01
EEL
多结单管芯片功率超132 W
02
EEL
780 nm宽条DFB激光器功率突破10 W
在高功率和窄谱宽激光器方面攻克了如光栅设计和材料生长等多个难点，取得突破性进展，开发的780 nm宽条分布反馈（DFB）激光器室温连续输出功率超过10 W。创下了780 nm波段DFB激光器的最高纪录，同时在宽电流与温度范围内保持了良好的锁波特性。该研究成果在光子学领域权威期刊《IEEE Photonics Journal》上发表。
03
VCSEL
多结VCSEL电光效率达74%
攻克低损耗多结VCSEL结构，将面发射芯片效率从20年前的61%一跃提高至74%，打破近20年来VCSEL效率发展停滞的局面，改变了VCSEL在效率上无法超过边发射激光器的固有认知。该研究成果发表在国际光学前三的Light: Science & Applications上。
04
VCSEL
单模VCSEL功率效率刷新世界纪录
来源：长光华芯
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