目前，英飞凌全新一代的氮化镓产品CoolGaN™ G3和CoolGaN™ G5系列震撼来袭！采用英飞凌自主研发的高性能200mm晶圆工艺制造，将氮化镓的应用范围扩大到40V至700V！快一起来看看吧！
图1.CoolGaN™ G3系列晶体管和CoolGaN™ G5系列晶体管
CoolGaN™ G3中压晶体管
CoolGaN™ G3系列覆盖60V、80V、100V和120V电压等级，以及40V双向开关（BDS）器件，主要面向电机驱动、电信、数据中心、太阳能和消费应用。
CoolGaN™ G5高压晶体管
CoolGaN™ G5系列基于GIT(Gate Injection Transistor，栅注入晶体管)技术推出新一代650V晶体管，以及基于G5的IPS驱动产品，适用于消费、数据中心、工业和太阳能领域的应用。
产品特性
1 | 拥有出色的软开关和硬开关性能，提供40V、650V和850V电压的CoolGaN™双向开关（BDS）。 |
CoolGaN™ BDS 650V和850V：采用真正的常闭单片双向开关，具有四种工作模式。通过使用一个BDS代替四个传统晶体管，可提高效率、密度和可靠性，使应用能够从中受益并大幅节约成本
CoolGaN™ BDS 40V：基于英飞凌肖特基栅极氮化镓自主技术的常闭单片双向开关，能阻断两个方向的电压，并且通过单栅极共源极的设计进行了优化，以取代电池供电消费产品中用作断开开关的背对背MOSFET
相比背对背硅FET，使用40V GaN BDS的优点包括节省50%-75%的PCB面积、降低50%以上的功率损耗，以及减少成本
目标应用和市场涵盖移动设备USB端口、电池管理系统、逆变器和整流器等
2 | 具有无损电流检测功能，简化了设计并进一步降低了功率损耗的CoolGaN™智能感应 Smart Sense。 |
2kV的静电放电耐受能力，可连接到控制器电流感应以实现峰值电流控制和过流保护
电流检测响应时间约为200ns，小于等于普通控制器的消隐时间
具有极高的兼容性
目标应用和市场涵盖消费电子设备的充电器和适配器
图2.CoolGaN™ BDS和CoolGaN™ Smart Sense
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