鉴于此，香港科技大学陈德璋、Jonathan E. Halpert研究团队开发了一种全新的表面金属钝化策略，通过钠元素在AgBiS2纳米晶体合成中的原位钝化，提高了晶体的纳米尺寸，以减少器件活性层内存在的陷阱态密度，优化后的反式纳米晶基太阳能电池取得了4.6%的冠军功率转换效率（PCE），以及优异的光稳定性。值得注意的是，基于钠掺杂的太阳能电池取得了超过24 mA/cm2的高短路电流密度（JSC），这是迄今为止基于TMAI处理的AgBiS2纳米晶基太阳能电池的最高短路电流。该工作证明了表面金属钝化工程在减少AgBiS2纳米晶体内陷阱态密度的重要性，为后续研究工作提供参考。相关工作以“In-situ Surface Metal Passivation on AgBiS2 Nanocrystals for Trap-Reduced Inverted Solar Cells”的研究性论文发表于《ACS Applied Energy Materials》期刊。本文的第一作者为香港科技大学博士生邹博森为第一作者；共同第一作者为香港科技大学陈德璋博士和Memoona Qammar博士。本文的通讯作者为陈德璋博士和Jonathan E. Halpert教授，该工作得到香港科技大学颜河教授课题组的平台支持。
图3. 薄膜形貌与载流子迁移率分析。
图4. 器件结构与光伏性能表征。
Jonathan E. Halpert教授是香港科技大学（HKUST）化学系的副教授。Halpert教授迄今的研究主要集中在合成新型纳米材料，以构建用于光学和电子应用的薄膜器件。他本科于Tufts大学化学系。2008年在麻省理工学院（MIT）获得博士学位，师从2023年诺奖获得者Moungi Bawendi，研究半导体纳米晶体异质结构的设计与合成方法。2010年，他获得访问青年科学家的奖学金，在中国科学院过程工程研究所（IPE）王丹教授的纳米材料组进行博士后研究。随后，他在剑桥大学卡文迪什实验室的光电组担任了两年的博士后研究员（导师: Neil Greenham 教授）。2013年，他开始在惠灵顿维多利亚大学（VUW）担任讲师。2016年，他晋升为SCPS的高级讲师，并在麦克迪亚米德研究所担任首席研究员（2016-2017）。2017年，他将研究团队迁至香港科技大学。2024年获得终身教职。Halpert教授已发表超过90篇论文，总引用次数超过11000次, H因子 38. 拥有10项美国专利。他的研究成果发表在《Journal of the American Chemical Society》、《ACS Nano》、《Nano Letter》、《Nature Photonics》、《Nature Communications》、《Energy & Environmental Science》等著名期刊上。目前，他的研究团队专注于钙钛矿纳米晶体和光电学。
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