铜中低配位数（<8）的缺陷能够强烈吸附*CO，这样可以维持高表面CO覆盖率并促进CO–CO二聚化。这些配位不足的位点主要通过传统路径（*CO–CO或*CO–COH耦合）选择性地生成乙烯。
在较高的过电位下，会生成具有高度压缩和扭曲配位环境的缺陷，这些缺陷通过终端氧稳定OCHCH2的吸附，从而在铜上开辟了一条选择性产生乙醇的替代路径。
铜中低配位数（<8）的缺陷能够强烈吸附*CO，这样可以维持高表面CO覆盖率并促进CO–CO二聚化。这些配位不足的位点主要通过传统路径（*CO–CO或*CO–COH耦合）选择性地生成乙烯。
在较高的过电位下，会生成具有高度压缩和扭曲配位环境的缺陷，这些缺陷通过终端氧稳定OCHCH2的吸附，从而在铜上开辟了一条选择性产生乙醇的替代路径。
