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【直播】【中国科大-ICQD】武大林亁亁教授：Optoelectronic Characterization and…

学术   2024-10-15 00:02   安徽  



中国科大-ICQD

Optoelectronic Characterization and Device Considerations of Next-generation Solution-processed Semiconductors


2024年10月16日 14:00

2024年10月16日，武汉大学林亁亁教授将作题为“Optoelectronic Characterization and Device Considerations of Next-generation Solution-processed Semiconductors”学术报告，由合肥微尺度物质科学国家研究中心、中国科大国际功能材料量子设计中心(ICQD)主办，详情如下。


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报告人介绍






林亁亁

Qiangian Lin is currently a professor of materials physics at the School of Physics and Technology, WuhanUniversity, China. He received his PhD degree (Dean's Award) from The University of Queensland in 2016 with thesupport of International Postgraduate Research Scholarship (PRS, Australia). In 2016, he also received MaterialsResearch Society (MRS) Graduate Student Gold Award. After a postdoc in the Clarendon Laboratory at Universityof Oxford with Prof. Laura Herz, he joined Wuhan University as a principal investigator in 2017. His researchfocuses on functional materials and optoelectronic devices. He has published >140 papers in high impact journalssuch as Nat, Photonics (3), Nat, Energy (5), Nat, Commun. (3), App. Phys. Reu (3), Matter, Device, Adv. Mater(6), Angew. Chem. Int, Ed. (3), Nano Let., ACS Energy Le., Adv, Energy Mater: (2) and Adv Funct, Mater. (7)with a citation of>9200 and H-index of 39.



报告摘要


Along with the remarkable progress in the field of organic, quantum dot based- and recently emerged perovskitesemiconductors have shown unprecedented successes. However, theoptoelectronics, solution-processedcharacterization of these novel semiconductors is very challenging due to the highly disordered structure, lowconductivity and relatively short chargecarrier lifetimes. In this talk,I will present the optoelectroniccharacterization of these novel materials systems, mainly including transient absorption (TAS), time-resolvecmicrowave conductivity (TRMC) and optical-pump terahertz-probe (OPTP) spectroscopy. I will also introduce deep.level transient spectroscopy (DLTS) to evaluate the fundamental properties of trap states, charge recombination andextraction based on operational devices. I will start with the basic principles and the set-up of these techniques. Thenthe obtained optoelectronic properties, including real and imaginary conductivity, mobility, recombination rates, trapdensity and carrier lifetime, will be introduced for the design and optimization of various devices, such as singlephoton counting, X-ray detection and imaging. At the end, I will discuss the key challenges facing optoelectroniccharacterization, and will also point out the opportunities, which are promising to explore and may require more research activities.


海报来源于主办方，侵删



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