曝光后烘烤
驻波是与光曝光和正性光刻胶相关的一个问题（见后续章节中详细介绍）。最小化驻波效应的一种技术是在曝光后烘烤晶圆。烘烤方法可以是前面描述的任何一种。曝光后烘烤（PEB）的时间－温度规格是烘烤方法、曝光条件和光刻胶化学的函数。
电子束对准器
电子束光刻是一种成熟的技术，用于生产高质量的掩膜和光罩（见下图所示）。该系统由一个电子源组成，该电子源产生一个小直径的点，以及一个“掩蔽器”，能够控制电子束的开启和关闭。曝光必须在真空中进行，以防止空气分子干扰电子束。电子束通过静电板，这些板能够将电子束在掩膜、光罩或晶圆上的x-y方向上进行导向（或操纵）。这个系统在功能上类似于电视的光束导向机构。精确导向光束需要光束在真空室内行进，其中包括电子束源、支撑机构和正在曝光的基板。
由于所需的图案是由计算机生成的，因此没有掩膜。光束通过偏转子系统被导向到表面上的特定位置，并在需要曝光的抗蚀剂处打开。较大的基板安装在x-y工作台上，并在光束下移动以实现整个表面曝光。这种对准和曝光技术称为直接写入。
图案通过光栅扫描或矢量扫描在抗蚀剂中曝光（见下图所示）。
光栅扫描是电子束在晶圆上左右移动的过程。计算机控制移动并激活在需要曝光的区域的掩蔽器。光栅扫描的一个缺点是光束扫描所需的时间，因为它必须遍历整个表面。在矢量扫描中，光束直接移动到需要曝光的区域（见上面图中所示）。在每个位置，曝光小的正方形或矩形区域，构建起所需的曝光区域形状。
混合对准器
小尺寸成像成本高昂。幸运的是，只有某些产品掩膜层足够关键，需要使用先进的成像技术。对于先进的电路，可能有50%的层并不关键。
其他不太关键的层可以使用更成熟的技术进行成像，如投影扫描仪或较便宜的步进器。混合和匹配可能成为使用X射线或电子束技术的工厂操作的一个特点。
先进光刻技术
行业正沿着摩尔定律向5纳米模式的近期未来迈进。后面的章节中描述的基本过程不足以生产远低于200纳米模式的特征尺寸。要超越这一里程碑，需要对基本过程进行一系列的改进。
它们包括新的抗蚀剂、新的曝光源、改进的掩膜等，如后面章节所述。
本章内容到这里就讲完了，大家可以对照下面内容进行回顾：
显示基本十步光刻掩膜过程的晶圆横截面图。
解释正性和负性光刻胶对光的反应。
描述生产晶圆表面层中的孔和岛所需的正确抗蚀剂和掩膜极性。
列出十步基本步骤中每个步骤的主要过程选项。
从目标4的列表中选择用于图案化微米和亚微米尺寸特征的过程。
描述双掩膜、多层抗蚀剂处理和平面化技术的需求以及所使用的过程步骤。
解释在“小”特征尺寸的图案化中使用抗反射涂层和对比度增强的使用。
列出用于对准和曝光的光学和非光学方法。
