❖ 第一作者: HyunJung Park, Photovoltaics and Thin Film Electronics Laboratory (PV-Lab), EPFL, Switzerland
❖ 通讯作者: HyunJung Park, Photovoltaics and Thin Film Electronics Laboratory (PV-Lab), EPFL, Switzerland
❖ 作者邮箱: jung1029@korea.ac.kr
摘要
串联太阳能电池是超越单结电池理论效率极限的关键技术。最有前途的组合之一是硅钙钛矿串联电池，考虑到其高效率、大规模制造和低成本的潜力。虽然大多数研究的重点是改进每个子电池，但另一个关键挑战在于连接这些子电池的隧道结，这会显著影响整体电池特性。在这里，我们展示了隧道结的首次使用，使用直接沉积在隧道氧化物上的p+/n+多晶硅钝化接触堆叠，以克服传统基于金属氧化物的隧道结的缺点，包括低隧道效率和溅射损伤。使用随机森林分析，实现了超过700mV的高隐含开路电压和500mΩ cm2的低接触电阻率，表明串联电池工作条件下的填充因子损失低于1%绝对值。
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