SK海力士闪存突破300层！

科技 2024-11-21 20:47 上海

半导体行业圈振兴国产半导体产业！

韩国内存大厂SK海力士今日宣布，已开始量产全球最高321层堆栈1Tb（太比特，与 TB 太字节不同） TLC 4D NAND Flash闪存。

SK海力士表示，2023年6月量产上代238层堆栈NAND Flash后，现又先推出超过300层堆栈的NAND Flash，不仅突破了技术界限，也率先实现了超过300层的NAND闪存量产。公司计划从明年上半年起向客户提供321层产品，以满足市场需求。

据介绍，在产品开发过程中，SK 海力士在此次产品开发过程中采用了高效的“3-Plug”工艺技术，克服了堆叠局限。另外，SK海力士采用了与238层产品相同的开发平台，从而最大限度地减少工艺切换的任何影响，将生产效率提高59%。与上一代相比，321层NAND闪存的数据传输速度和读取性能分别提高了12%和13%，数据读取能效也提高了10%以上。

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