【长音频】晶片战争(上)

文摘   2024-11-02 08:00   四川  


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1947年,美国贝尔实验室的约翰·巴丁、布拉顿、肖克莱三人发明了晶体管,这是微电子技术发展中第一个里程碑。

1950年,结型晶体管诞生, R Ohl和肖克莱发明了离子注入工艺;

1951年,场效应晶体管发明;

1956年,C S Fuller发明了扩散工艺;

1958年,仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路,开创了世界微电子学的历史;

1960年,H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺;

1962年,美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管;

1963年,F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术,今天,95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺;

1964年,Intel摩尔提出摩尔定律,预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍;

1966年,美国RCA公司研制出CMOS集成电路,并研制出第一块门阵列(50门),为现如今的大规模集成电路发展奠定了坚实基础,具有里程碑意义;

1967年,应用材料公司(Applied Materials)成立,现已成为全球最大的半导体设备制造公司;

1971年,Intel推出1kb动态随机存储器(DRAM),标志着大规模集成电路出现;

1971年,全球第一个微处理器4004由Intel公司推出,采用的是MOS工艺,这是一个里程碑式的发明;

1974年,RCA公司推出第一个CMOS微处理器1802;

1976年,16kb DRAM和4kb SRAM问世;

1978年,64kb动态随机存储器诞生,不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管,标志着超大规模集成电路(VLSI)时代的来临;

1979年,Intel推出5MHz 8088微处理器,之后,IBM基于8088推出全球第一台PC;

1981年,256kb DRAM和64kb CMOS SRAM问世;

1984年,日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM;

1985年,80386微处理器问世,20MHz;

1988年,16M DRAM问世,1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管,标志着进入超大规模集成电路(VLSI)阶段;

1989年,1Mb DRAM进入市场;

1989年,486微处理器推出,25MHz,1μm工艺,后来50MHz芯片采用 0.8μm工艺;

1992年,64M位随机存储器问世;

1993年,66MHz奔腾处理器推出,采用0.6μm工艺;

1995年,Pentium Pro, 133MHz,采用0.6-0.35μm工艺;1

997年,300MHz奔腾Ⅱ问世,采用0.25μm工艺;

1999年,奔腾Ⅲ问世,450MHz,采用0.25μm工艺,后采用0.18μm工艺;

2000年,1Gb RAM投放市场;

2000年,奔腾4问世,1.5GHz,采用0.18μm工艺;

2001年,Intel宣布2001年下半年采用0.13μm工艺;

2003年,奔腾4 E系列推出,采用90nm工艺;

2005年,intel 酷睿2系列上市,采用65nm工艺;

2007年,基于全新45纳米High-K工艺的intel酷睿2 E7/E8/E9上市;

2009年,intel酷睿i系列全新推出,创纪录采用了领先的32纳米工艺,并且下一代22纳米工艺正在研发;

中国集成电路产业诞生于六十年代,共经历了三个发展阶段。

1965年-1978年,以计算机和军工配套为目标,以开发逻辑电路为主要产 品,初步建立集成电路工业基础及相关设备、仪器、材料的配套条件

1978年-1990年,主要引进美国二手设备,改善集成电路装备水平,在“治散治乱”的同时,以消费类整机作为配套重点,较好地解决了彩电集成电路的国产化

1990年-2000年,以908工程、909工程为重点,以CAD为突破口,抓好科技攻关和北方科研开发基地的建设,为信息产业服务,集成电路行业取得了新的发展。

2022年6月30日,三星电子有限公司宣布,该公司已经开始在其位于韩国的华城工厂大规模生产3纳米半导体芯片,是全球首家量产3纳米芯片的公司

2001年到2010年这10年间,中国集成电路产量的年均增长率超过25%,集成电路销售额的年均增长率则达到23%。

2010年国内集成电路产量达到640亿块,销售额超过1430亿元,分别是2001年的10倍和8倍。

中国集成电路产业规模已经由2001年不足世界集成电路产业总规模的2%提高到2010年的近9%。

中国成为过去10年世界集成电路产业发展最快的地区之一。

国内集成电路市场规模也由2001年的1140亿元扩大到2010年的7350亿元,扩大了6.5倍。

国内集成电路产业规模与市场规模之比始终未超过20%。如扣除集成电路产业中接受境外委托代工的销售额,则中国集成电路市场的实际国内自给率还不足10%,国内市场所需的集成电路产品主要依靠进口。

近几年国内集成电路进口规模迅速扩大,2010年已经达到创纪录的1570亿美元,集成电路已连续两年超过原油成为国内最大宗的进口商品。与巨大且快速增长的国内市场相比,中国集成电路产业虽发展迅速但仍难以满足内需要求。

当前以移动互联网、三网融合、物联网、云计算、智能电网、新能源汽车为代表的战略性新兴产业快速发展,将成为继计算机、网络通信、消费电子之后,推动集成电路产业发展的新动力。

工信部预计,国内集成电路市场规模到2015年将达到12000亿元。

中国集成电路产业发展的生态环境亟待优化,设计、制造、封装测试以及专用设备、仪器、材料等产业链上下游协同性不足,芯片、软件、整机、系统、应用等各环节互动不紧密。

“十二五”期间,中国将积极探索集成电路产业链上下游虚拟一体化模式,充分发挥市场机制作用,强化产业链上下游的合作与协同,共建价值链。培育和完善生态环境,加强集成电路产品设计与软件、整机、系统及服务的有机连接,实现各环节企业的群体跃升,增强电子信息大产业链的整体竞争优势。

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