士兰微+清纯宣布联手:目标8吋、沟槽SiC MOS

时事   2025-01-09 13:46   广东  

1月9日,清纯半导体与士兰微电子在杭州举行2024年终总结会,双方高层及研发、运营、产线人员参会。会议全面回顾了过去一年在研发、代工、量产和产业协同上的合作情况,并规划了2025年的合作方向。

面向2025年,双方将深化碳化硅领域合作,共同开发新一代碳化硅器件,如沟槽型SiC MOSFET,并推动第二代SiC MOSFET的量产。士兰微电子将为清纯半导体提供充足的产能保障,其建设的8吋碳化硅量产线将为清纯半导体提供独家代工服务。

士兰微电子子公司士兰集宏的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线正在建设中,预计2025年一季度封顶,四季度末初步通线,2026年一季度试生产。

清纯半导体与士兰微电子的合作基于共同的愿景和战略目标,清纯半导体在碳化硅领域拥有完整产业链布局,士兰微电子则在碳化硅器件代工方面经验丰富。双方的合作始于2023年4月,当时清纯半导体完成数亿元A+轮融资,士兰微及其战略基金参与领投。此次融资标志着双方战略合作的全面实施,旨在快速推动SiC器件技术迭代,提高国产替代水平。


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