邀请函
实验室SAXS和GISAXS作为微电子应用的计量工具
概述
多年来，半导体行业一直在努力缩小元件的尺寸，这就需要使用具有亚纳米级分辨率的新表征方法。因此，临界尺寸 SAXS（CD-SAXS）测量技术应运而生。良好的结果，加上该技术的高分辨率潜力，以及对评估三维 (3D) 纳米级图案的非破坏性方法的不断探索，使得 CD-SAXS 于 2007 年被纳入ITRS。
CD-SAXS 包括测量周期性图案（如线光栅），以确定线的深度剖面。这种技术通常应用于存储器件开发过程中的各个光刻阶段，精确控制是实现最佳器件性能的关键。由于本研究中使用的光栅是在硅晶片上的，因此测量是采用掠入射（GISAXS）进行的。首次使用实验室光源进行CD-GISAXS测量是在CEA-LETI的Xeuss 3.0仪器上，使用铜靶光源进行的。在本次网络研讨会上，我们将说明如何确定深度形状，并介绍逆算法解决方法。
讲座详情
主要学习内容
- 实验室SAXS 如何用于表征光刻工艺形成的纳米结构并检测缺陷？
- 如何使用逆算法逐步确定线的形状？
- SAXS 分析的主要优势是什么，以及如何在与其他技术并用时探索其协同潜力？
时间
2024年6月27日21：00-21：45
主讲人
Guillaume Freychet博士
目前在格勒诺布尔的法国替代能源和原子能委员会担任线站科学家。他曾在布鲁克海文的NSLS-II软物质界面线站担任线站科学家，也曾在先进光源担任博士后研究员。他于2016年在格勒诺布尔-阿尔卑斯大学获得博士学位，是X射线散射使用方面的专家，尤其擅长结构材料。
报名方式
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