江西理工大学等:使用Nacent Nd-Fe-B粉末原位修复晶界结构制备(Nd,Ce)-Fe-B再生磁体

文摘   科学   2024-07-17 09:01   北京  

7月9日,由江西理工大学、赣州富尔特电子、中科三环(赣州)研究团队(通讯作者:江西理工大学杨牡南副教授、杨斌教授)完成的关于废旧钕铁硼磁体的高效再生的研究成果发表于《Materials》。该研究利用钕铁硼磁粉原位修复晶界结构的方法,显著提升了废旧磁体的性能
实验过程
首先收集了废旧磁体,这些磁体包括机械加工废料、长期存放未处理且生锈的毛坯,以及从电机中拆卸的磁体。废旧磁体经过筛选和除锈处理后,使用3%的硝酸和5%的硫酸进行酸洗,以去除表面氧化物和油污。随后,磁体在破碎机中粗碎,进入氢破碎炉进行氢破碎处理。处理后的粉末通过喷射磨细化,形成平均粒径为3.15微米的回收粉末(RP)。
细化后的RP经过定向压制和烧结,制备出第一代再生磁体,命名为RM-I。这一步骤是在现有钕铁硼生产线上完成,无需其他实验操作。
研究团队在生产线上选择了稀土含量略高(RE ≥ 31 wt%)的新生钕铁硼粉末(NP),作为修复剂。NP与RP按照1 wt%,2 wt%,和3 wt%的比例混合,并进行了3小时的混合。混合后的粉末在2T磁场下进行定向压缩,最终通过真空烧结制备出名为RM-II的第二代再生磁体。

结果和讨论
实验结果显示,通过在RP中掺杂1 wt%的NP并进行烧结,得到的第二代再生磁体(RM-II)在剩磁、矫顽力和磁能积方面都有显著提升,这表明NP的添加有效地改善了再生磁体的磁性能。

SEM图像显示,RM-I磁体的Nd富相比例较低,而RM-II磁体中Nd富相比例的增加导致了更多细晶界结构的形成,这些结构有助于减弱主相晶粒之间的交换耦合,从而提高磁体的矫顽力。

研究发现,降低烧结温度会降低磁体的磁性能,而提高烧结温度则能增加矫顽力、剩磁和磁能积,这表明烧结温度是优化再生磁体性能的关键参数。

论文探讨了NP替代量对再生磁体性能的影响。尽管增加NP的添加量旨在改善晶界结构,但实验结果显示,这并未导致预期的性能提升,反而观察到剩磁、矫顽力和磁能积的微小下降,表明在烧结Nd-Fe-B材料中,NP的添加量存在一个最佳范围。

微观结构和晶界相组成的变化分析进一步阐释了NP添加对磁体性能的影响。SEM图像和EDS线扫描分析显示,随着NP比例的增加,晶界逐渐变得不明显,这可能对磁体的矫顽力产生负面影响。

XRD分析结果表明,尽管添加了更多的NP,主要的衍射峰保持不变,但整体衍射峰向较小的衍射角移动,这表明Ce的替代并未随着更多粉末的添加而发生,指出了在再生磁体制备过程中可能存在的局限性。

最后,DSC分析揭示了不同温度区域的显著差异,强调了对冶金行为进行综合研究的必要性,以便更好地理解烧结温度、NP含量和磁性能之间的复杂关系,并开发优化的烧结方法。

总结

综上,本研究利用现有的钕铁硼生产设备,将各种废旧磁体转化为回收的钕铁硼粉末。此外,从生产线中选取了稀土含量略高的新生钕铁硼粉末,作为再生磁体的修复剂。通过将新生钕铁硼粉末掺入回收的钕铁硼粉末中,生产出了再生磁体。

结果表明,新生钕铁硼粉末对再生磁体的晶界具有修复作用,且当烧结温度优化时,这种效果更为显著。例如,在烧结温度为1085°C并添加1重量百分比的新生钕铁硼粉末时,磁体中钕富相的比例增加,观察到了连续且清晰的细晶界结构。此外,新生磁性粉末中的镨元素能够替代主相中的铈,从而提高内在性能。总之,在新生磁性粉末的修复和烧结温度的优化之后,磁体的矫顽力、剩余磁化强度和磁能积得到了全面提高。然而,当继续增加新生钕铁硼粉末的添加量时,出现了与预期相反的情况,磁性能并未得到优化。检测发现,随着更多新生钕铁硼粉末的添加,晶界结构并未得到修复,铈元素的替代也未发生。这是因为新生磁性粉末需要更高的烧结温度,因此晶界的修复并未更好地实现。因此,在未来提高再生磁体性能的工作中,需要不断调整烧结温度以适应不同量的新鲜钕铁硼粉末,以促进新鲜钕铁硼粉末的修复效果。


通讯作者介绍:



https://clyjhxxb.jxust.edu.cn/info/1160/6819.htm

https://djw.jxust.edu.cn/info/1005/2587.htm

附录信息

  • 论文的发表日期:2024年7月9日

  • 发表的期刊名称:Materials

  • 论文标题:Preparation of (Nd, Ce)-Fe-B Regenerated Magnets by In-Situ Restoration of Grain Boundary Structure Using Nascent Nd-Fe-B Powder

  • 论文作者:Xi Yu , Sangen Luo , Munan Yang , Qingpeng Shen, Honglong Yang, Shuwei Zhong, Weilong Zhang,Bin Yang 

  • 论文的DOI链接:https://doi.org/10.3390/ma17143381



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