金属卤化物钙钛矿半导体因其能够通过成本效益高、产量大的化学溶液工艺开发出具有卓越光电和电子性能的器件，吸引了大量关注。然而，在钙钛矿薄膜的溶液加工过程中仍然存在挑战，包括对结晶的控制有限以及形成缺陷沉积物，从而导致器件性能和可重复性不理想。锡（Sn²⁺）卤化物钙钛矿由于其固有的高空穴迁移率，具有实现高性能薄膜晶体管（TFTs）的潜力。
与研究更广泛的铅（Pb）基材料相比，Sn²⁺钙钛矿薄膜的高质量生产仍然存在挑战，因为其结晶速度较快。最近，组成工程已成为实现Sn²⁺卤化物钙钛矿薄膜高产率制造的成熟且有效的策略。这种方法不仅可以实现改善的TFT性能，具有高空穴迁移率和电流比，还可以使器件在无滞后特性和长期稳定性下可靠工作。
本文电子科技大学Huihui Zhu、Ao Liu和浦项科技大学Yong-Young Noh等人提供了前驱体制备、薄膜和器件制造与表征的实验程序。整个过程通常需要20-24小时完成。该方案要求对金属卤化物钙钛矿、钙钛矿薄膜涂布工艺、标准TFT制造及测量技术有基本了解。
学术交流QQ群
知光谷光伏器件学术QQ群：641345719
钙钛矿产教融合交流@知光谷（微信群）：需添加编辑微信
为加强科研合作，我们为海内外科研人员专门开通了钙钛矿科创合作专业科研交流微信群。加微信群方式：添加编辑微信 pvalley2024、pvalley2019，备注：姓名-单位-研究方向（无备注请恕不通过），由编辑审核后邀请入群。
