近日
由全球电子技术领域
知名媒体集团AspenCore主办的
国际集成电路展览会暨研讨会（IIC）
在深圳举行
活动现场
总部位于吴江汾湖高新区的
英诺赛科
自研的SolidGaN ISG3202LA产品
被授予
全球电子成就奖
——最佳功率半导体/驱动器
总部位于美国的AspenCore是世界领先的科技媒体集团之一，其推出的“全球电子成就奖” （WEAA）备受推崇。此奖由AspenCore全球资深产业分析师组成的评审委员会以及来自亚、美、欧洲的网站用户群共同评选，旨在表彰对推动全球电子产业创新作出杰出贡献的企业和管理者。对获奖公司以及个人来说，全球电子成就奖的获得是一项崇高荣誉，各类奖项获得提名的企业、管理者及产品均为行业领先者，充分体现了其在业界的领先地位与不凡表现。
英诺赛科是氮化镓行业的领导者。此次获评全球电子成就奖的SolidGaN ISG3202LA，是英诺赛科针对48V数据中心、48V汽车电子、马达驱动等应用领域开发的一款芯片，能够极大地简化系统物料清单，缩小方案尺寸，具有高效率、高性能和高功率密度等特性。
上个月，OPPO发布Find X8/X8 pro系列手机，采用了英诺赛科全链路氮化镓技术。从电源侧的快速充电（80W超级闪充和50W无线充），到手机内部主板的充电过压保护，均采用了英诺赛科氮化镓。
第三代半导体氮化镓材料具备高能效、高频率的特性，能够打造体积更小、充电更快且安全性更高的产品。作为全球领先的智能终端制造商，OPPO选择与英诺赛科长期深度合作，体现了其对创新技术和产品性能的信心和决心。此前，OPPO已有多个系列产品的主板和充电器均采用了英诺赛科全链氮化镓技术，实现了产品性能与竞争力的领先。
