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天岳先进也发布了，12英寸碳化硅衬底
此外，近期，天岳先进官微披露，2024德国慕尼黑半导体展览会（Semicon Europe 2024）于11月12日正式开幕，天岳先进携全系列碳化硅（SiC）衬底产品亮相，并于11月13日发布了12英寸（300mm）N型碳化硅衬底产品，标志着碳化硅产业正式迈入超大尺寸碳化硅衬底时代。
据介绍，12英寸碳化硅衬底材料，能够进一步扩大单片晶圆上可用于芯片制造的面积，大幅提升合格芯片产量。在同等生产条件下，显著提升产量，降低单位成本，进一步提升经济效益，为碳化硅材料的更大规模应用提供可能。天岳先进董事长宗艳民表示，对于所有SiC器件制造商而言，生产成本的主要压力在于从棒料（boules）切片形成衬底的缓慢增长率。我们希望通过扩大衬底尺寸，持续降低每单位面积的材料成本。
据悉，针对高压大功率电力电子器件用P型碳化硅单晶衬底存在的成本高、电阻率高、缺陷控制难度大等技术难题，天岳先进布局液相法技术，在2023年发布了8英寸碳化硅晶体，并于2024年推出了采用液相法制备的4度偏角P型碳化硅衬底。
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