高能级创新平台巡礼丨安徽省高水平新型研发机构①:西安电子科技大学芜湖研究院

政务   2024-11-08 18:36   安徽  

西安电子科技大学芜湖研究院


平台基本情况

西安电子科技大学芜湖研究院(以下简称“研究院”)成立于2017年10月,由芜湖市人民政府与西安电子科技大学联合共建,于2023年12月经安徽省科技厅认定为首批安徽省高水平新型研发机构。研究院以“创新平台”和“人才培养”为抓手,以在特色领域实现科技与产业的高度融合为目标定位,围绕宽/超宽禁带半导体、集成电路设计及应用、汽车电子等方向开展前沿和应用技术研究及产业应用,为地方第三代半导体、集成电路以及汽车电子领域上下游企业提供技术服务,助力区域产业高质量发展。

平台科研布局

研究院围绕国家、省市第三代半导体产业布局,聚焦新质生产力的原创性、前瞻性技术,形成“一部二平台四中心”架构,一部指人才培养部,致力于培养微电子领域高端技术人才;二平台包括公共研发服务平台、前沿技术研发平台,面向芜湖市企业开展技术攻关和研发服务;四中心包括先进微电子器件研究、超宽禁带半导体技术研究、汽车电子关键技术研究、集成电路设计工程中心,致力于氮化镓、碳化硅、金刚石等为代表的第三代半导体、集成电路、汽车电子等领域的关键技术研究和产业应用。

研究院累计立项开展如电子级单晶金刚石制备、微波等离子体化学气相沉积设备研制、650V-900V增强型氮化镓电力电子器件的制备与应用、碳化硅功率器件关键技术研究、高集成度高可靠性雷达芯片设计与研究等创新课题40余项,推进西电-芜湖产学研合作项目50余项,承担/参与国家、省市科技项目18项,其中重大项目5项,累计申请专利406项,培养研究生478人。

平台优势功能

研究院现有研发及试制场地约1万平方米,兼具前沿技术的探索和产业化急需技术的落地转化功能。其中:

1.碳化硅功率器件、氮化镓材料及电力电子器件试验/中试线包含碳化硅、氮化镓材料生长所需CVD系统,核心器件制造所需高能离子注入机等设备400余套,具备4-6英寸碳化硅、6-8英寸氮化镓外延材料生长到器件研制的全套工艺流程能力,可提供知识产权培育和转化、特殊工艺与特色产品定制、中试规模的芯片可靠性评价服务。

2.超宽禁带半导体实验室拥有关键设备55台套,具备金刚石设备国产化、金刚石外延及金刚石器件制备能力。设备、单晶及多晶材料产品成熟度高、达到产业化销售水平。

3.面向车规芯片和电子元器件的可靠性验证与检测平台先后获得CMA及CNAS认证资质,可开展汽车电子系统的电磁兼容检测、车规功率器件和集成电路的可靠性检测和失效分析(AEC- Q100/Q101)检测等服务。

4.ARM集成电路培训和创新实验室拥有完整的集成电路设计工具链和完备的开发平台,目前中心已积累微控制器、MicroOLED显示驱动芯片、车规级模拟(传感器)芯片、激光雷达芯片等20余款集成电路IP,可提供芯片定制化设计服务。

人才团队情况

研究院以专兼职相结合方式建设高层次人才队伍,现有人员107人,其中研发人员91人,硕士及以上50人,拥有高级职称15人;聘请中国科学院院士郝跃为研究院首席科学家,引进西电张进成教授氮化镓领域研究团队、张玉明教授碳化硅领域研究团队、张金风教授金刚石领域研究团队等20个国内一流的科研团队,团队长期从事新型宽禁带半导体材料和器件、微纳米半导体器件与高可靠集成电路等方面的科学研究,在氮化镓、碳化硅、金刚石等宽/超宽禁带半导体材料和器件领域持续突破,取得了系统创新成果,引领中国第三代半导体强势爆发,为世界微电子学科及产业开辟了全新道路。

代表性成果

1.微波等离子体化学气相沉积设备

成功研制自主知识产权的4-6英寸大功率微波等离子体化学气相沉积设备,满足大面积金刚石材料生长需要,填补该领域国际空白。生长得到的大面积金刚石材料在航天级的光学窗口应用、电池快充及雷达通讯等领域都有可观的应用前景。

2.45GHz-6KWMPCVD

915MHz-30KW大尺寸MPCVD

2.电子级单晶金刚石材料与器件

成功研制全国产电子级单晶金刚石,达到国际先进水平;并制备了α粒子探测器,电荷收集效率达到97%,为后续电子级单晶金刚石在核能开发、航天、核医学等应用方面打下基础。

电子级单晶接金刚石及核探测器

3.中高压碳化硅大功率器件

拥有1200V等级系列碳化硅高压大功率器件芯片技术,重点面向新能源汽车、工业电机与消费电子等领域应用,可显著提高电能储存、变换和利用的效率与可靠性,解决资源紧缺等问题,是实现智能制造与能源互联网的有效途径。

1200V/10-20A 碳化硅肖特基二极管

1200V /80mW SiC MOSFET

4.硅基氮化镓材料与器件

掌握6-8英寸硅基氮化镓外延片的工程化技术,并实现了批量化生产;成功开发耐压超过1000V的氮化镓功率器件,突破氮化镓功率器件应用领域关键难题,促进产品升级与技术应用突破。

氮化镓外延片

氮化镓功率器件

5.高可靠性数模混合芯片

掌握高可靠性数模混合芯片技术,具备工业和汽车等级芯片研发能力。围绕激光雷达等智能传感器领域,已开发处理器内核、高精度ADC、电源管理等多个芯片产品线,并积累了丰富的芯片产品和IP,助力我国智能传感器智能化、小型化发展。

激光雷达芯片

高可靠性8位微控制芯片

平台创新需求

研究院作为安徽省高水平新型研发机构、芜湖市重点科研和产业化公共服务平台,目前已成为地方优势的第三代半导体材料与器件、车规芯片等技术的产业化创新示范平台。围绕研究院已有碳化硅功率器件、氮化镓外延材料与器件、激光雷达与微控制器芯片等创新成果转化,热诚欢迎各界朋友联系洽谈。

联系方式
电话:

13637131491   葛林男



邮箱:

gelinnan@xdwh-inst.com












地址:

安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区科技产业园7号楼


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来源:安徽省科学技术厅
编辑左梓涵
责编李环环
审核孙刚、凌岚、方太升
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