1. 可在2273K(2000℃)以上高温条件下使用
2. 密度在100~300kg/m3之间
3. 压缩强度在0.1~1.0MPa之间
4. 挠曲强度≥1.0MPa
5. 碳含量占总固体的99.9%以上
2. 稀土金属及合金材料的生产技术
3. 钐钴、钕铁硼、铈磁体制备技术
4. 稀土硼酸氧钙制备技术
(1)抗静电≥2,500V,抗瞬时剂量率>1×10 11 rad(Si)/s的CMOS/SOS〔蓝宝石上外延硅/互补型金属氧化物半导体〕器件制造技术(2)抗静电≥3,000V,抗瞬时剂量率>1×10 11 rad(Si)/s的双极器件制造技术
同时满足以下条件的电池用磷酸铁锂制备技术
飞机轮胎制造技术
2. 连续SiC(碳化硅)纤维生产技术
3. 具有下列特征的碳纤维制品加工技术
(1)细编穿刺织物技术
(2)三向锥体织物技术
4. 氮化硼(BN)纤维防潮涂层制备技术
5. 氧化锆纤维隔热材料制备技术
6. 化学气相沉积法(CVD)制备碳化硅(SiC)纤维技术
2. 超长(>250mm)铌酸锂晶片的制作方法
(1)长度>280mm,直径>40mm铌酸锂晶的生长技术
(2)长度>250mm,铌酸锂单晶片精加工技术
3. 长度>180mm的硅酸铋(BSO)、锗酸铋(BGO)单晶生长工艺及晶片加工技术
4. 75-3水溶性光致抗蚀掩孔干膜制备工艺
5. 制造自泵浦相位共轭器(SPPCM)用钨青铜光析变单晶生长工艺
6. 铌酸钾(KNbO3)晶体的原料处理技术和生长工艺
7. 磷酸氧钛钾(KTP)晶体生长控制技术
8. 具有下列性能的抗辐射人造水晶生长工艺
(1)品质因数(Q)值≥3×106
(2)包裹体级别不低于IECI(国际电工技术委员会)的A级
(3)铝(Al)含量≤1ppm
(4)腐蚀隧道密度≤10条/cm2
9. 稀土-铁(Tb-Dy-Fe系)超磁致伸缩单晶材料的制备技术
10. 四硼酸锂、三硼酸锂(LBO)晶体的生长工艺
11. 掺钕硼酸铝钇(NYAB)晶体的生长工艺
12. 钛酸钡锶(SBT)晶体的生长工艺
13. 偏硼酸钡(BBO)晶体的生长工艺
14. 硼铍酸锶(SBBO)晶体的生长工艺
15. KBBF晶体生长与棱镜耦合器件加工技术
16. 硅酸钇镥(LYSO)晶体生长工艺
17. 溴化镧(LaBr3:Ce)晶体生长工艺
2. 用于高压容器(压力≥25MPa)的纤维增强树脂基耐烧蚀、隔热、防热、复合材料生产技术
3. 容重1.5~1.7g/cm2,烧蚀率≤0.22mm/s的纤维增强树脂基耐烧蚀复合材料生产技术
4. 热熔法工艺中树脂基体配方
2. 军用隐身材料的配方及生产技术3. 耐温≥2000℃的发散(汗)冷却材料的配方及生产技术
2. 通过离子交换法、树脂法等方法从氧化铝母液中提取金属镓的技术和工艺
4. 同时具有下列特性的高温超导线、带制造技术
(1)临界温度>77K,长度>100m,临界电流密度>1×104 A/cm2(在77K,自场强下)
5. 同时具有下列特性的高温超导薄膜制造技术
(1)临界温度>77K,面积>5cm2,临界电流密度>1×10 6 A/cm2(在77K,零场强下)
6. 稀土的采矿、选矿、冶炼技术(已列入禁止出口的技术除外)
7. 稀土萃取剂的合成工艺及配方
8. 金属材料的稀土改性添加技术
非晶材料的卷取技术
(1)硬质耐冲击材料制备技术
(2)纳米级晶粒制备技术
3. 纳米级超细粉的制备技术
(1)稀土-硼共渗剂配方
(2)稀土-硼共渗处理工艺
2. 稀土、碳、氮共渗和稀土、碳共渗的配方及工艺
3. 装载机斗齿材料的配方及热处理工艺
(1)WC-Co(碳化钨-钴)亚微米级粉末制备技术
(2)WC-Co(碳化钨-钴)亚微米晶粒复合材料制备技术
2. 纤维增强铝基复合材料的制备技术
3. 超混杂铝基复合板的制备技术
(1)竹材改性工艺
(2)改性竹材增强铝复合工艺
(3)维尼纶增强铝复合工艺
4. 化学气相渗制备复合材料技术
2. 下列大中型薄壁变曲面铸件电渣熔铸技术
(1)非稳定状态下各种温度场的确定
(2)构造电渣熔铸变曲面构件的软件包
(1)波纹成型工艺
(2)转筒旋压工艺及表面处理工艺
(3)转子装配、调试工艺
2. 金属离心机上、下阻尼器制造技术
(1)上阻尼壳体成型工艺
(2)装配调整工艺
(3)上、下阻尼结构参数、性能参数检测原理、方法及所用实验测试装置
2. 三环式减速(或增速)传动装置制造技术
(1)设计参数的选择
(2)制造工艺技术
1. 不含钽的镍基合金铸造与加工
2. 用于工作温度≥850℃的表面防高温腐蚀涂层,寿命≥10,000h
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