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装片及键合工艺设计
封装内互联包括了芯片、框架和基板的联接工艺，以及芯片、框架或基板上指定的脚为联接形成电通道的工艺。本文介绍以下两点：
装片工艺设计一般规则
键合工艺设计一般规则
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装片工艺设计一般规则
在装片工艺设计中，需要遵循以下一般规则：
单个基岛上芯片间的距离：设计时需考虑芯片间的最小距离，以避免在封装过程中产生干涉或损坏。具体距离可参考相关设计表格或标准。
芯片到基岛边缘的最小距离：为确保芯片的稳固性和封装质量，需规定芯片到基岛边缘的最小距离。这一距离同样可参考相关设计表格或标准。例如：
多基岛情形下的芯片间距离：在多个基岛上进行芯片封装时，需考虑芯片间的相对位置和距离，以确保封装后的器件具有良好的电性能和散热效果。具体设计可参考相关设计参考表格或标准。
在进行装片工艺设计时，还需注意以下几点：
材料选择：应选用符合要求的材料，包括芯片、框架、基板以及黏合剂等。这些材料应具有良好的物理和化学性能，以满足封装工艺的需求。
设备选择：应选用精密的装片设备，以确保芯片与框架或基板之间的精确对齐和黏结。设备的精度和稳定性对封装质量具有重要影响。
工艺参数控制：在装片过程中，需要严格控制各项工艺参数，如温度、压力、时间等。这些参数的微小变化都可能对封装质量产生显著影响。
装片工艺设计是封装工艺设计中的关键环节之一。通过遵循相关设计原则和要求，并选择合适的材料和设备，可以确保封装后的器件具有良好的性能和可靠性。
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键合工艺设计一般规则
键合工艺是封装工艺中的关键步骤之一，主要涉及金线、铝线等线材与芯片、框架或基板之间的连接。以下是对键合工艺设计一般规则的详细整合：
焊点直径设计
金线焊点直径：
当线径小于1.5mil（0.0381mm）时，焊点直径为4倍的线径。
当线径大于或等于1.5mil时，焊点直径为3倍的线径。
焊点间距设计
铝线焊点间距（Pitch）：
使用经验公式计算：Pitch = 1/2BTW + 1/2WW最大值 + 3mil公差。
其中，BTW为线材之间的基本间距，WW为线材宽度。
第二焊点形状与尺寸设计
第二焊点形状：
根据图示设计，确保形状符合工艺要求；尺寸参考下表，确保满足设计标准。
金或铜线焊盘尺寸：
设计为正方形，尺寸参考下表
确保焊盘尺寸足够大，以容纳焊点和线材。
铝线键合特殊设计
细铝线键合：
对于线径小于75μm的细铝线，第二焊点采用扯断方式而非切刀切断。
长度A = 3倍的线径 + 75μm，宽度B = 2倍的线径 + 75μm。
键合方法与线径选择
最小线径选择：
根据不同的键合方法（如热压键合、超声键合等），选择对应的最小线径。
参考下表，确保线材规格符合要求。
第二焊点材料焊接方法：
根据第二焊点材料选择合适的焊接方法。
参考下表，确保焊接方法符合材料特性
焊点到芯片边缘的距离设计
地线焊点到芯片边缘的最小距离：
根据装片方式（如银浆装片、软钎接焊料装片等）确定最大溢胶或溢料距离；加上设备精度和额外安全距离（如2mil），计算最小距离。
第一焊点上线弧到芯片边缘的距离：
最小值D一般为0.076mm，确保线材与芯片边缘有足够的空间。
焊线最高处距离封装表面的最小距离设计
在经过高压水刀去飞边处理后的封装体：
若需要在表面用激光烧灼印字，A = 0.10mm，B = 0.10mm。
若不需要用激光烧灼印字，A = 0.10mm，B = 0.075mm。
以上是对键合工艺设计一般规则的详细整合，旨在确保键合工艺的质量、可靠性和一致性。在实际应用中，应根据具体的产品需求、工艺设备和材料特性进行适当调整。
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