本发明为一种钐钴基薄带及其热变形磁体。该钐钴基薄带的元素组成式为SmCo5‑x‑y‑zCuxSnyGaz，其中，x＝0.2～1.0，y＝0.01～0.5，z＝0.01～0.2，0.22≤x+y+z≤1.7；制备中对薄带不进行球磨等任何处理，直接在磁场中将薄带层叠堆垛到模具中进行热压，得到致密块体；最后通过控制热变形的温度与压力及配合磁场热处理制备具有高织构取向度的各向异性磁体。本发明克服了现有类似产品存在的钐钴磁体缺乏低熔点晶间相，在高温高压下热变形也无法实现高取向度的缺陷。
该专利全文可以在稀土专利动态小程序查看。
