美国商务部向纽约州“EUV加速器”提供8.25亿美元补贴,支持EUV光刻技术研发

科技   2024-11-02 08:58   中国香港  

对于该站点的建设,美国国家经济顾问莱尔·布雷纳德表示,“这项8.25亿美元投资,将巩固奥尔巴尼作为半导体创新和研发领域的企业家、研究人员和工程师的世界级中心的领导地位。”

10月31日,美国商务部与美国《CHIPS》法案美国国家半导体技术中心NSTC项目运营商Natcast宣布在纽约州立大学奥尔巴尼纳米技术中心建设首个基于美国《芯片与科学法案》的旗舰研发站点。

该站点名为"EUV加速器",重点推进最先进的EUV光刻技术以及依赖于该技术的研发工作,将获得8.25亿美元的美国联邦投资支持。该EUV加速器将召集并促进与产业界、学术界和政府合作伙伴的合作,支持提供、培养和发展有才华的员工队伍的计划,推动半导体推进技术创新。

2023年12月,美国纽约州长Kathy Hochul就曾宣布,将联合IBM、美光、应用材料(Applied Materials)、东京电子(Tokyo Electron)等投资100亿美元,在纽约州立大学奥尔巴尼纳米技术综合体兴建下一代High-NA EUV半导体研发中心,还将利用州政府资金购买ASML的High-NA(高数值孔径)EUV光刻机,以支持世界上最复杂、最强大的半导体的研发。

据悉,“EUV加速器”站点将于2025年开始运营,预计同年引入0.33NA EUV光刻机,2026年引入High NA EUV光刻机,将支持相关的功能与技术支持:

•获得尖端的EUV光刻工具和下一代研发能力,包括高数值孔径(NA)EUV系统,预计到2025年将达到标准NA EUV,2026 年将达到High NA EUV

•召集并促进与行业、学术和政府合作伙伴的合作,以推进技术创新

•专门的NSTC现场办公室,为Natcast和NSTC成员研究人员提供支持

•支持提供、培养和发展有才华的员工队伍的计划

•努力增加NSTC会员和参与度,同时与所有NSTC设施一起营造开放、协作的研发环境

除这一EUV光刻站点外,美国还计划建设原型制造和先进封装制造领域的研发设施。

对于该站点的建设,美国国家经济顾问莱尔·布雷纳德表示,“这项8.25亿美元投资,将巩固奥尔巴尼作为半导体创新和研发领域的企业家、研究人员和工程师的世界级中心的领导地位。”

        
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