美国商务部向纽约州“EUV加速器”提供8.25亿美元补贴，支持EUV光刻技术研发

科技 2024-11-02 08:58 中国香港

对于该站点的建设，美国国家经济顾问莱尔·布雷纳德表示，“这项8.25亿美元投资，将巩固奥尔巴尼作为半导体创新和研发领域的企业家、研究人员和工程师的世界级中心的领导地位。”

10月31日，美国商务部与美国《CHIPS》法案美国国家半导体技术中心NSTC项目运营商Natcast宣布在纽约州立大学奥尔巴尼纳米技术中心建设首个基于美国《芯片与科学法案》的旗舰研发站点。

该站点名为"EUV加速器"，重点推进最先进的EUV光刻技术以及依赖于该技术的研发工作，将获得8.25亿美元的美国联邦投资支持。该EUV加速器将召集并促进与产业界、学术界和政府合作伙伴的合作，支持提供、培养和发展有才华的员工队伍的计划，推动半导体推进技术创新。

2023年12月，美国纽约州长Kathy Hochul就曾宣布，将联合IBM、美光、应用材料（Applied Materials）、东京电子（Tokyo Electron）等投资100亿美元，在纽约州立大学奥尔巴尼纳米技术综合体兴建下一代High-NA EUV半导体研发中心，还将利用州政府资金购买ASML的High-NA（高数值孔径）EUV光刻机，以支持世界上最复杂、最强大的半导体的研发。

据悉，“EUV加速器”站点将于2025年开始运营，预计同年引入0.33NA EUV光刻机，2026年引入High NA EUV光刻机，将支持相关的功能与技术支持：

•获得尖端的EUV光刻工具和下一代研发能力，包括高数值孔径（NA）EUV系统，预计到2025年将达到标准NA EUV，2026 年将达到High NA EUV

•召集并促进与行业、学术和政府合作伙伴的合作，以推进技术创新

•专门的NSTC现场办公室，为Natcast和NSTC成员研究人员提供支持

•支持提供、培养和发展有才华的员工队伍的计划

•努力增加NSTC会员和参与度，同时与所有NSTC设施一起营造开放、协作的研发环境

除这一EUV光刻站点外，美国还计划建设原型制造和先进封装制造领域的研发设施。

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