在储能电源系统中，光伏逆变器是“核心”，牵一发而动全身。逆变器对半导体功率器件性能指标和可靠性要求日益提高，更高的工作室电压、更大的工作电流、更高的功率密度以及更高的工作温度都将是未来的挑战。因此，碳化硅是其中的技术突破关键点，国内光伏逆变器市场的发展将带来碳化硅器件需求增长。
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碳化硅（SiC）器件在当前的趋势下能够提供更高的效率。与传统的硅基 MOSFET/IGBT 相比，碳化硅器件在高电压应用中更为适用。高电压器件可简化拓扑结构，无需使用多电平转换器。SiC 逆变器解决方案的损耗低于 IGBT 解决方案。 SiC MOSFET 的开关速度也更快，因此可以缩小无源器件（尤其是电感器）的尺寸。这两个因素提高了功率密度，使相同尺寸和重量的设备具有更高的功率。不过， 需要在成本和性能之间进行权衡，了解实际要求以决定最合适的解决方案。
IGBT 与碳化硅二极管
SiC 二极管的替代正变得越来越普遍，尤其是在 DC-DC 阶段，因为其成本越来越低廉，无需对电路设计进行大的改动，最重要的是，系统性能得到了很好的改善。此外， 提高频率还能减小无源器件的尺寸。
在大功率产品（> 200 kW）中， IGBT 是首选，因为 IGBT 在处理大电流时具有良好的性能。而且系统不需要很高的工作开关速率，这意味着较慢的 IGBT 关断速度不会带来太多问题。另一方面，完整的 SiC 系统需要全新的系统设计，成本很高。例如，基于 IGBT 的转换器的驱动电路与基于 SiC 的系统不兼容。还需要考虑新的保护方法，因为 SiC 元件的短路耐受时间（SCWT）比 IGBT 短。
碳化硅有效减少电路体积
下图对比一个使用SiC MOSFET电源模块与普通电源模块，大小尺寸差异：
普通电源模块 | SiC MOSFET电源模块 | |
厂家 | MEAN WELL | Infineon |
型号 | CSP-3000-400 | 基于Infineon SiC MOSFET IPW60R017C7与IPU95R3K7P7 的电源方案 |
参数 | 输入·：180 ~ 264 VAC 输出：400 VDC 功率：3000W | 输入：176 VAC - 265 VAC 输出：400 VDC 功率：3300W （来源于Infineon方案） |
尺寸 | 278.0mm x 177.8mm x 63.5mm 体积：3139 立方厘米 | 208mm x 89mm x40mm 体积：740立方厘米 |
我们可以看出使用SiC MOSFET技术后，体积缩小了很多。
上述方案采用的SiC MOSFET产品如下：
InfineonIPW60R017C7 CoolSiC™ N 通道 600 V 109A 446W
InfineonIPU95R3K7P7 N 通道 950 V 2A
其他逆变器方案：
基于STM32G474的400W微型逆变器方案
方案规格：
1. Vin（标准输入电压）：36V
2. Vin_max（最大输入电压）：55V
3. Vin_min（最小输入电压）：18V
4. MPPT范围：20V至40V
5. Iin（标称输入电流）：12A
6. Imax（最大输入电流）：18A
7. Vbus（DC-DC标称输出电压）：380V
8. Vbus_max（DC-DC最大输出电压）：400V
9. Vac（交流标称输出电压）：110VAC/60Hz、220VAC/50Hz
10. Iac（交流最大输出电流）：1.8A/220VAC、3.6A/110VAC
11. Pac（最大输出功率）：400W
方案优势：
1. 电源应用 : 400W Microinverter
2. 数位控制 (主控制芯片 : STM32G474 )
3. 使用单一 MCU做 MPPT 与 Inverter 控制功能
4. 使用 PLL 锁相环进行环路控制
5. 隔离型 MPPT 符合规范需求
6. 采用ST第三类 SiC半导体，高频操作缩小体积
7. 太阳能转换成交流电并回电网
方案二：基于HC32F334的500W光伏微型逆变器方案
• PV电压范围：25~60V
• 电网电压：200~240V @50Hz
• 最大输出功率：500W
• 开关频率：60kHz~200kHz
• 峰值效率：94.7%
• 入网电流THD：3.2% @Vpv=45V 500W
• PF：>0.99
• 基于自主知识产权的数字电源控制器方案
• 高性能主控芯片HC32F334
• 交错反激采用谷底开通断续模式，提高系统效率
• 交错反激输出馒头波，减小反激输出母线电容
• 全桥逆变采用工频开关，提高系统效率
• 经典扰动式MPPT环，快速准确找到MPPT点
• 保护功能齐全：输出过流，输入反激过流保护，反激输出电压过压保护等
• 效率高达94.7%
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