据报道，英伟达首席执行官黄仁勋不信任三星HBM内存和工程师，称他的公司不能信任三星HBM产品，也不能与三星电子就HBM内存开展业务。
HBM（High Bandwidth Memory，高带宽内存）是一种高性能的3D堆叠DRAM技术，它通过硅通孔（TSV）技术将多个DRAM芯片垂直堆叠在一起，从而实现高密度存储和大幅提升的带宽和容量。HBM技术因其高带宽、低延迟和低功耗的特点，被广泛应用于高性能计算、人工智能、数据中心等领域 。
英伟达是世界领先的公司之一，三星也是。领先都是出于不同的产品。英伟达因其针对游戏PC的GPU的突破性进步而声名鹊起。最近，英伟达通过为其他公司提供芯片，在人工智能计算领域取得了巨大进展。
而另一方面，三星以包括电视、存储、显示器和音频在内的各种产品而闻名，但主要是其手机。它还制造了各种不同用途的内存。三星HBM就是这些内存产品线之一。然而黄仁勋似乎不相信这些产品。或许主要是因为三星高管经常被换下。
据韩国媒体Hankyung报道，英伟达首席执行官黄仁勋过去曾表示，“英伟达是三星电子的客户，而不是员工。别再打电话问问题了。三星电子的高带宽存储器（HBM）产品和技术人员都不可信。我们不能信任他们，也不能与他们做生意，因为高管变动频繁。”
据说这是当着三星高层管理人员的面说的。不过有趣的是，这与黄仁勋在本月早些时候对三星HBM的态度截然不同。黄仁勋在CES上表示：“三星电子HBM的成功是毫无疑问的”。
三星在去年3月推出HMB3E 12-Speed产品。黄仁勋对三星HBM产品表示了认可。HBM3E被批准用于NVIDIA的AI芯片。三星发布了12层堆叠的HBM3E DRAM（HBM3E 12H），容量为36GB，带宽高达1280GB/s。该产品采用TC-NCF技术，保持与8层设计相同的高度，满足封装要求。
三星在HBM市场中占据重要地位，2024年第三季度其HBM总销售额环比增长超过70%。三星的HBM3E产品已获得英伟达的批准，开始向其供应8层HBM3E。
另外，三星已完成HBM4内存的逻辑芯片设计，并采用4nm工艺试产。HBM4支持2048位接口和6.4GT/s的数据传输速率，单个堆栈带宽可达1.6TB/s。三星还成功验证了16层堆叠的HBM4技术，采用混合键合技术，提升了信号传输速率，降低了模块高度。
无论黄仁勋对三星HBM的看法如何，英伟达仍有可能选择三星的HBM3E作为其人工智能芯片。前提是如果三星能够交付。不过，英伟达也会选择继续与SK海力士和美光合作。
据报道，英伟达提倡三星需要开发一种全新的芯片设计，用于其人工智能芯片。据彭博社报道，三星的最新设计已经获得英伟达的认可。因此，英伟达对三星HBM的不信任似乎只是过去式了。
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