高质量的晶化是消除高维缺陷的最有效方法。然而，对于在自组装单分子层上生长的钙钛矿材料来说，这仍然是一个关键挑战。
本文上海交通大学王言博和韩礼元等人提出了一种双面处理策略，并使用定制的4-fluoro-2-methoxybenzonitrile来最大化钙钛矿上下表面之间的成核驱动力差异，从而实现向上单向钙钛矿晶化。通过这种方法，消除了横向晶粒边界、埋藏空洞和非晶区域等高维缺陷，最终实现了26.4%的光电转换效率（认证值为26.0%）。
此外，封装后的器件在ISOS-D-3和ISOS-L-2稳定性测试中分别表现出优异的稳定性。
Guiding Vertical Growth and Improving Buried Interface of Pb-Sn Perovskite Film by 2D Perovskite Seeds for Efficient Narrow Bandgap Perovskite Solar Cells and Tandems
J. Yang, Z. Wang, X. Zhao, W. Gao, G. Xing, X. Wang, L. Wang, C. Li, Y. Wang, Y. Ren, W. Liu, F. Yang, J. Sun, H. Dong, L. Chao, Y. Zhou, Y. Chen, Z. Wu, C. Ran and W. Huang, Energy Environ. Sci., 2025, Accepted Manuscript , DOI: 10.1039/D4EE05948D
https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2025/ee/d4ee05948d
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